spanduk produk
Sistem Pemeriksaan Cacat Substrat GaN
Sistem Pemeriksaan Cacat Substrat GaN
Sistem Pemeriksaan Cacat Substrat GaN menggunakan inspeksi optik non-destruktif untuk mengidentifikasi dan mengkarakterisasi cacat pada substrat galium nitrida (GaN), mendukung evaluasi kualitas bahan dan pengembangan proses. Kompatibel dengan substrat GaN berukuran 2, 4, dan 6 inci, sistem ini mendeteksi berbagai cacat, termasuk dislokasi threading, kesalahan penumpukan, domain inversi, batas butir, lubang V, rongga, dan retakan, sehingga membantu pengguna memahami jenis cacat dan distribusinya di seluruh substrat.
Menanyakan

Fitur

01

Tidak Merusak

02

Suite Deteksi yang Dapat Disesuaikan

03

Penelitian dan Pengembangan Kolaboratif

Spesifikasi

Bahan Substrat GaN Berdiri Bebas yang Didoping Si
Ukuran Wafer 1 × 1 cm, 2', 4' dan 6'
Hasil Inspeksi 12 WPH @ 2'
Jenis Cacat Dislokasi Threading, Kesalahan Susun, Domain Inversi, Batas Butir, V-Pits, Void, Retak dan Cacat Lainnya
Dengan memberikan solusi yang inovatif, andal, dan terukur, kami memberdayakan industri untuk mencapai presisi dan efisiensi yang tak tertandingi, sehingga mendorong kemajuan dalam penelitian dan manufaktur di seluruh dunia.
Hak Cipta © 2025 Time Tech Spectra. Semua Hak Dilindungi Undang-undang.| Peta Situs | Kebijakan Privasi