spanduk produk
Sistem Pemeriksaan Cacat Substrat GaN
Sistem Pemeriksaan Cacat Substrat GaN
Sistem Pemeriksaan Cacat Substrat GaN menggunakan inspeksi optik non-destruktif untuk mengidentifikasi dan mengkarakterisasi cacat pada substrat galium nitrida (GaN), mendukung evaluasi kualitas bahan dan pengembangan proses. Kompatibel dengan substrat GaN berukuran 2, 4, dan 6 inci, sistem ini mendeteksi berbagai cacat, termasuk dislokasi threading, kesalahan penumpukan, domain inversi, batas butir, lubang V, rongga, dan retakan, sehingga membantu pengguna memahami jenis cacat dan distribusinya di seluruh substrat.

Sistem ini menawarkan rangkaian deteksi yang dapat disesuaikan dan diperluas yang dapat dikonfigurasikan untuk karakteristik material tertentu dan persyaratan inspeksi. Kolaborasi pengembangan dan aplikasi bersama memperluas kemampuannya untuk mengatasi jenis cacat baru dan kompleks, mendukung kebutuhan yang terus berkembang dalam penelitian dan inspeksi material GaN.
Menanyakan

Fitur

01

Tidak Merusak

02

Suite Deteksi yang Dapat Disesuaikan

03

Penelitian dan Pengembangan Kolaboratif

Spesifikasi

Bahan Substrat GaN
Ukuran Wafer 2', 4' dan 6'
Hasil Inspeksi 4-6 wafer/jam (2')
Jenis Cacat Dislokasi Threading, Kesalahan Penumpukan, Domain Inversi, Batas Butir, Lubang V, Kekosongan, Retak dan cacat lainnya

Contoh

Pencitraan Wafer

氮化镓示例图-1.png

Atlas Identifikasi Cacat Multi-kategori Substrat GaN

氮化镓示例图-2.png
  • Karakterisasi substrat GaN yang non-destruktif, mampu membedakan cacat termasuk dislokasi, kesalahan tumpukan, domain inversi, rongga, dan goresan.
Dengan memberikan solusi yang inovatif, andal, dan terukur, kami memberdayakan industri untuk mencapai presisi dan efisiensi yang tak tertandingi, sehingga mendorong kemajuan dalam penelitian dan manufaktur di seluruh dunia.
Hak Cipta © 2025 Time Tech Spectra. Semua Hak Dilindungi Undang-undang.| Peta Situs | Kebijakan Privasi