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GaN基板欠陥検査装置
GaN基板欠陥検査装置
GaN 基板欠陥検査システムは、非破壊光学検査を使用して窒化ガリウム (GaN) 基板の欠陥を特定および特性評価し、材料品質評価とプロセス開発をサポートします。 2、4、6 インチの GaN 基板と互換性のあるこのシステムは、貫通転位、積層欠陥、反転ドメイン、粒界、V ピット、ボイド、クラックなどのさまざまな欠陥を検出し、ユーザーが欠陥の種類と基板全体にわたる欠陥の分布を理解するのに役立ちます。

このシステムは、特定の材料特性や検査要件に合わせて構成できる、カスタマイズ可能で拡張可能な検出スイートを提供します。共同開発とアプリケーションのコラボレーションにより、新しく複雑な種類の欠陥に対応できる能力が拡張され、GaN 材料の研究と検査における進化するニーズがサポートされます。
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特徴

01

非破壊的

02

カスタマイズ可能な検出スイート

03

共同研究開発

仕様

材料 GaN基板
ウェーハサイズ 2'、4'、6'
検査スループット 4-6 ウェーハ/時間 (2')
欠陥の種類 貫通転位、積層欠陥、反転ドメイン、結晶粒界、Vピット、ボイド、クラック、その他の欠陥

例

ウェーハイメージング

氮化镓例図-1.png

GaN 基板のマルチカテゴリー欠陥識別アトラス

氮化镓例図-2.png
  • GaN 基板の非破壊特性評価。転位、積層欠陥、反転ドメイン、ボイド、スクラッチなどの欠陥を識別できます。
革新的で信頼性が高く、スケーラブルなソリューションを提供することで、業界が比類のない精度と効率を達成できるようにし、世界中の研究と製造の進歩を推進します。
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