Cacat dislokasi pada wafer SiC, seperti TSD, TED, dan BPD, sangat membatasi hasil dan keandalan perangkat, sementara mekanisme pertumbuhannya masih kurang dipahami. Karya ini menyajikan metode inspeksi non-destruktif yang cepat berdasarkan spektroskopi serapan sementara dan algoritma AI untuk deteksi dan klasifikasi cacat yang akurat. Studi ini mengungkapkan mode pertumbuhan yang berbeda dari dislokasi threading dan mengidentifikasi hubungan transformasi antara dislokasi dan cacat bidang dasar. Temuan ini memberikan wawasan baru mengenai pertumbuhan kristal SiC dan mendukung peningkatan pengendalian cacat dan kualitas wafer dalam manufaktur semikonduktor.
Spektroskopi serapan sementara, selain penerapannya dalam mempelajari sistem molekuler, merupakan metode teknis penting untuk mengeksplorasi dinamika keadaan tereksitasi nanokristal semikonduktor atau titik kuantum. Dalam diskusi ini, kita akan menggunakan titik kuantum semikonduktor sebagai contoh untuk menjelaskannya
