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GaN-Substratfehler-Inspektionssystem
GaN-Substratfehler-Inspektionssystem
Das GaN-Substratdefekt-Inspektionssystem verwendet eine zerstörungsfreie optische Inspektion, um Defekte in Galliumnitrid (GaN)-Substraten zu identifizieren und zu charakterisieren und unterstützt so die Bewertung der Materialqualität und die Prozessentwicklung. Das System ist mit 2-, 4- und 6-Zoll-GaN-Substraten kompatibel und erkennt eine Reihe von Defekten, darunter Gewindeversetzungen, Stapelfehler, Inversionsdomänen, Korngrenzen, V-Pits, Hohlräume und Risse, und hilft Benutzern, Defekttypen und deren Verteilung über das Substrat zu verstehen.

Das System bietet eine anpassbare, erweiterbare Erkennungssuite, die für spezifische Materialeigenschaften und Inspektionsanforderungen konfiguriert werden kann. Die gemeinsame Entwicklungs- und Anwendungszusammenarbeit erweitert seine Fähigkeiten, um neue und komplexe Defekttypen anzugehen und den sich entwickelnden Bedarf in der GaN-Materialforschung und -prüfung zu unterstützen.
Erkundigen

Merkmale

01

Zerstörungsfrei

02

Anpassbare Erkennungssuite

03

Gemeinsame Forschung und Entwicklung

Spezifikationen

Materialien GaN-Substrat
Wafergrößen 2', 4' und 6'
Inspektionsdurchsatz 4-6 Wafer/h (2')
Fehlertypen Gewindeversetzungen, Stapelfehler, Inversionsbereiche, Korngrenzen, V-Pits, Hohlräume, Risse und andere Defekte

Beispiele

Wafer-Imaging

氮化镓示例图-1.png

Atlas zur Identifizierung mehrerer Defekte von GaN-Substraten

氮化镓示例图-2.png
  • Zerstörungsfreie Charakterisierung von GaN-Substraten zur Unterscheidung von Defekten wie Versetzungen, Stapelfehlern, Inversionsdomänen, Hohlräumen und Kratzern.
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