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GaN-Substratfehler-Inspektionssystem
GaN-Substratfehler-Inspektionssystem
Das GaN-Substratdefekt-Inspektionssystem verwendet eine zerstörungsfreie optische Inspektion, um Defekte in Galliumnitrid (GaN)-Substraten zu identifizieren und zu charakterisieren und unterstützt so die Bewertung der Materialqualität und die Prozessentwicklung. Das System ist mit 2-, 4- und 6-Zoll-GaN-Substraten kompatibel und erkennt eine Reihe von Defekten, darunter Gewindeversetzungen, Stapelfehler, Inversionsdomänen, Korngrenzen, V-Pits, Hohlräume und Risse, und hilft Benutzern, Defekttypen und deren Verteilung über das Substrat zu verstehen.
Erkundigen

Merkmale

01

Zerstörungsfrei

02

Anpassbare Erkennungssuite

03

Gemeinsame Forschung und Entwicklung

Spezifikationen

Materialien Si-dotierte freistehende GaN-Substrate
Wafergrößen 1 × 1 cm, 2', 4' und 6'
Inspektionsdurchsatz 12 WPH bei 2'
Fehlertypen Gewindeversetzungen, Stapelfehler, Inversionsbereiche, Korngrenzen, V-Pits, Hohlräume, Risse und andere Defekte
Durch die Bereitstellung innovativer, zuverlässiger und skalierbarer Lösungen ermöglichen wir Branchen, beispiellose Präzision und Effizienz zu erreichen und so den Fortschritt in Forschung und Fertigung weltweit voranzutreiben.
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