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Sistema de inspeção de defeitos de substrato GaN
Sistema de inspeção de defeitos de substrato GaN
O Sistema de Inspeção de Defeitos de Substrato GaN utiliza inspeção óptica não destrutiva para identificar e caracterizar defeitos em substratos de nitreto de gálio (GaN), apoiando a avaliação da qualidade do material e o desenvolvimento de processos. Compatível com substratos GaN de 2, 4 e 6 polegadas, o sistema detecta uma variedade de defeitos, incluindo deslocamentos de rosqueamento, falhas de empilhamento, domínios de inversão, limites de grão, poços em V, vazios e rachaduras, ajudando os usuários a entender os tipos de defeitos e sua distribuição no substrato.

O sistema oferece um conjunto de detecção personalizável e expansível que pode ser configurado para características específicas de materiais e requisitos de inspeção. O desenvolvimento conjunto e a colaboração de aplicações ampliam seus recursos para lidar com tipos de defeitos novos e complexos, apoiando as necessidades em evolução na pesquisa e inspeção de materiais GaN.
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Características

01

Não Destrutivo

02

Conjunto de detecção personalizável

03

P&D colaborativo

Especificações

Materiais Substrato GaN
Tamanhos de wafer 2', 4' e 6'
Taxa de transferência de inspeção 4-6 bolachas/h (2')
Tipos de defeitos Deslocamento de rosqueamento, falhas de empilhamento, domínios de inversão, limites de grãos, poços em V, vazios, rachaduras e outros defeitos

Exemplos

Imagem de wafer

氮化镓示例图-1.png

Atlas de identificação de defeitos multicategoria do substrato GaN

氮化镓示例图-2.png
  • Caracterização não destrutiva de substratos GaN, capaz de distinguir defeitos incluindo deslocamentos, falhas de empilhamento, domínios de inversão, vazios e arranhões.
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