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Sistema de inspeção de defeitos de substrato GaN
Sistema de inspeção de defeitos de substrato GaN
O Sistema de Inspeção de Defeitos de Substrato GaN utiliza inspeção óptica não destrutiva para identificar e caracterizar defeitos em substratos de nitreto de gálio (GaN), apoiando a avaliação da qualidade do material e o desenvolvimento de processos. Compatível com substratos GaN de 2, 4 e 6 polegadas, o sistema detecta uma variedade de defeitos, incluindo deslocamentos de rosqueamento, falhas de empilhamento, domínios de inversão, limites de grão, poços em V, vazios e rachaduras, ajudando os usuários a entender os tipos de defeitos e sua distribuição no substrato.
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Características

01

Não Destrutivo

02

Conjunto de detecção personalizável

03

P&D colaborativo

Especificações

Materiais Substratos GaN autônomos dopados com Si
Tamanhos de wafer 1 × 1 cm, 2', 4' e 6'
Taxa de transferência de inspeção 12 WPH @ 2'
Tipos de defeitos Deslocamentos de rosqueamento, falhas de empilhamento, domínios de inversão, limites de grãos, cavidades em V, vazios, rachaduras e outros defeitos
Ao fornecer soluções inovadoras, confiáveis ​​e escaláveis, capacitamos as indústrias a alcançar precisão e eficiência incomparáveis, impulsionando o progresso na pesquisa e na fabricação em todo o mundo.
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