Hệ thống kiểm tra khuyết tật chất nền GaN sử dụng phương pháp kiểm tra quang học không phá hủy để xác định và mô tả các khuyết tật trên chất nền gallium nitride (GaN), hỗ trợ đánh giá chất lượng vật liệu và phát triển quy trình. Tương thích với các đế GaN 2, 4 và 6 inch, hệ thống này phát hiện một loạt khuyết tật, bao gồm trật khớp ren, lỗi xếp chồng, miền đảo ngược, ranh giới hạt, hố chữ V, khoảng trống và vết nứt, giúp người dùng hiểu các loại khuyết tật và sự phân bố của chúng trên bề mặt.
Hệ thống này cung cấp bộ phát hiện có thể mở rộng, có thể tùy chỉnh, có thể được cấu hình cho các đặc tính vật liệu cụ thể và yêu cầu kiểm tra. Hợp tác phát triển và ứng dụng chung mở rộng khả năng của mình để giải quyết các loại lỗi mới và phức tạp, hỗ trợ các nhu cầu ngày càng tăng trong nghiên cứu và kiểm tra vật liệu GaN.
Hệ thống này cung cấp bộ phát hiện có thể mở rộng, có thể tùy chỉnh, có thể được cấu hình cho các đặc tính vật liệu cụ thể và yêu cầu kiểm tra. Hợp tác phát triển và ứng dụng chung mở rộng khả năng của mình để giải quyết các loại lỗi mới và phức tạp, hỗ trợ các nhu cầu ngày càng tăng trong nghiên cứu và kiểm tra vật liệu GaN.
hỏi thăm
