สินค้า-แบนเนอร์
ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิว GaN
ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิว GaN
ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิว GaN ใช้การตรวจสอบด้วยแสงแบบไม่ทำลายเพื่อระบุและระบุลักษณะข้อบกพร่องในซับสเตรตแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ซึ่งสนับสนุนการประเมินคุณภาพวัสดุและการพัฒนากระบวนการ ใช้งานได้กับซับสเตรต GaN ขนาด 2, 4 และ 6 นิ้ว โดยระบบจะตรวจจับข้อบกพร่องได้หลากหลาย รวมถึงความคลาดเคลื่อนของเกลียว ข้อบกพร่องในการซ้อน โดเมนผกผัน ขอบเขตเกรน หลุมรูปตัว V ช่องว่าง และรอยแตก ช่วยให้ผู้ใช้เข้าใจประเภทของข้อบกพร่องและการกระจายของพวกมันทั่วทั้งซับสเตรต

ระบบนำเสนอชุดการตรวจจับที่ปรับแต่งได้และขยายได้ ซึ่งสามารถกำหนดค่าสำหรับคุณลักษณะเฉพาะของวัสดุและข้อกำหนดในการตรวจสอบได้ การพัฒนาร่วมกันและความร่วมมือด้านแอปพลิเคชันขยายขีดความสามารถในการแก้ไขข้อบกพร่องประเภทใหม่และซับซ้อน รองรับความต้องการที่เปลี่ยนแปลงไปในการวิจัยและการตรวจสอบวัสดุ GaN
สอบถาม

คุณสมบัติ

01

ไม่ทำลาย

02

ชุดการตรวจจับที่ปรับแต่งได้

03

การวิจัยและพัฒนาร่วมกัน

ข้อมูลจำเพาะ

วัสดุ สารตั้งต้น GaN
ขนาดเวเฟอร์ 2', 4' และ 6'
ปริมาณงานการตรวจสอบ 4-6 เวเฟอร์/ชม. (2')
ประเภทข้อบกพร่อง การเคลื่อนของเกลียว, ความผิดพลาดในการซ้อน, โดเมนผกผัน, ขอบเขตของเกรน, หลุม V, ความว่างเปล่า, รอยแตกร้าว และข้อบกพร่องอื่นๆ

ตัวอย่าง

การถ่ายภาพเวเฟอร์

氮化镓示例image-1.png

Atlas การระบุข้อบกพร่องหลายหมวดหมู่ของพื้นผิว GaN

氮化镓示例image-2.png
  • การแสดงคุณลักษณะแบบไม่ทำลายของซับสเตรต GaN สามารถแยกแยะข้อบกพร่องต่างๆ รวมถึงความคลาดเคลื่อน ข้อบกพร่องในการซ้อน โดเมนผกผัน ช่องว่าง และรอยขีดข่วน
ด้วยการนำเสนอโซลูชันที่เป็นนวัตกรรม เชื่อถือได้ และปรับขนาดได้ เราช่วยให้อุตสาหกรรมต่างๆ บรรลุความแม่นยำและประสิทธิภาพที่ไม่มีใครเทียบได้ ขับเคลื่อนความก้าวหน้าในการวิจัยและการผลิตทั่วโลก
ลิขสิทธิ์ © 2025 ไทม์ เทค สเปกตรัม สงวนลิขสิทธิ์.| แผนผังเว็บไซต์ | นโยบายความเป็นส่วนตัว