Versetzungsdefekte in SiC-Wafern wie TSD, TED und BPD schränken die Geräteausbeute und -zuverlässigkeit entscheidend ein, während ihre Wachstumsmechanismen noch unzureichend verstanden sind. Diese Arbeit stellt eine schnelle, zerstörungsfreie Inspektionsmethode vor, die auf transienter Absorptionsspektroskopie und KI-Algorithmen zur genauen Fehlererkennung und -klassifizierung basiert. Die Studie deckt unterschiedliche Wachstumsmodi von Gewindeversetzungen auf und identifiziert Transformationsbeziehungen zwischen Versetzungen und Basalebenendefekten. Diese Erkenntnisse liefern neue Einblicke in das SiC-Kristallwachstum und unterstützen eine verbesserte Defektkontrolle und Waferqualität in der Halbleiterfertigung.
Die transiente Absorptionsspektroskopie ist neben ihrer Anwendung bei der Untersuchung molekularer Systeme eine entscheidende technische Methode zur Untersuchung der Dynamik angeregter Zustände von Halbleiter-Nanokristallen oder Quantenpunkten. In dieser Diskussion werden wir zur Verdeutlichung Halbleiter-Quantenpunkte als Beispiel verwenden
