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Das DISPEC-8000 nutzt das Pump-Probe-Reflexionsprinzip, um eine zerstörungsfreie optische Inspektion von Verbindungshalbleitermaterialien durchzuführen. Dieses System eignet sich zur Inspektion von N-Typ-SiC-Ingots, Impfkristallen und Wafern und unterstützt die Analyse von Wafern unterschiedlicher Größe. Es kann wichtige Versetzungsdefekte wie TSD, TED und BPD genau identifizieren und unterstützt gleichzeitig die Erkennung verschiedener Defekttypen, einschließlich SF, MP, Kohlenstoffeinschlüsse und Epitaxiedefekte. Darüber hinaus unterstützt es die Dual-Oberflächenanalyse sowohl der Si- als auch der C-Flächen. Im Vergleich zu automatisierten Systemen arbeitet das DISPEC-8000 im manuellen Modus, was eine größere Flexibilität bietet und es für die F&E-Validierung, Tests kleiner Chargen und verschiedene Anwendungsszenarien geeignet macht.