Versetzungsdefekte in SiC-Wafern wie TSD, TED und BPD schränken die Geräteausbeute und -zuverlässigkeit entscheidend ein, während ihre Wachstumsmechanismen noch unzureichend verstanden sind. Diese Arbeit stellt eine schnelle, zerstörungsfreie Inspektionsmethode vor, die auf transienter Absorptionsspektroskopie und KI-Algorithmen zur genauen Fehlererkennung und -klassifizierung basiert. Die Studie deckt unterschiedliche Wachstumsmodi von Gewindeversetzungen auf und identifiziert Transformationsbeziehungen zwischen Versetzungen und Basalebenendefekten. Diese Erkenntnisse liefern neue Einblicke in das SiC-Kristallwachstum und unterstützen eine verbesserte Defektkontrolle und Waferqualität in der Halbleiterfertigung.