O sistema TAU‑9000 emprega imagens de espectroscopia transitória ultrarrápida baseadas em sonda de bomba para obter caracterização de alta resolução temporal e espacial do tempo de vida dos portadores minoritários de wafer. Os portadores fotogerados são excitados pela luz da bomba e sua dinâmica de decaimento é medida por meio de imagens resolvidas no tempo, permitindo uma avaliação precisa dos efeitos de deslocamentos, defeitos pontuais e contaminação superficial na vida útil dos portadores, refletindo assim a qualidade geral do wafer.
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- Série de absorção transitória
- TA AUTO/MINI - TAS ultrarrápido
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- LFP100 - Fotólise Flash
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- UPSI100 - Imagem Shadowgraph de Sonda de Bomba
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- THZ100-Terahertz
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- TA AUTO/MINI - TAS ultrarrápido
- Série de espectroscopia de fluorescência
- TPL300 - Fluorescência em estado estacionário/transiente
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- Sistema de caracterização abrangente de semicondutores Wide Bandgap
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- UF100 - Fluorescência Ultrarrápida
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- FLIM300 - Microscopia Confocal de Fluorescência Vitalícia
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- TPL300 - Fluorescência em estado estacionário/transiente
- Série Óptica Não Linear
- ZTS100 - Varredura Z
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- SHG100 - Segunda Geração Harmônica
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- ZTS100 - Varredura Z
- Série de câmeras CMOS de alta velocidade
- Câmera CMOS de alta velocidade
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- Série Laser
- Laser de nanossegundos FlatTop DPSS ND:YAG
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- Laser FlatTop-OPO DPSS YAG-OPO
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- Série de inspeção óptica de semicondutores
- Bolachas de substrato SiC DISPEC-9000
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- Substrato/Semente/Boule DISPEC-8000 SiC
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- SiCM-9000 SiC Epi Carrier Lifetime Imaging
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- Análise de desempenho de células solares de perovskita SP-1030
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- Bolachas de substrato SiC DISPEC-9000
- Oscilador/amplificador paramétrico óptico
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- Laser de corante pulsado de nanossegundos ajustável
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- Laser de nanossegundos FlatTop DPSS ND:YAG
- Loja
- Peças e Componentes
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