Defeitos de deslocamento em wafers de SiC, como TSD, TED e BPD, limitam criticamente o rendimento e a confiabilidade do dispositivo, enquanto seus mecanismos de crescimento permanecem insuficientemente compreendidos. Este trabalho apresenta um método de inspeção rápido e não destrutivo baseado em espectroscopia de absorção transitória e algoritmos de IA para detecção e classificação precisa de defeitos. O estudo revela modos distintos de crescimento de luxações rosqueadas e identifica relações de transformação entre luxações e defeitos do plano basal. Essas descobertas fornecem novos insights sobre o crescimento do cristal de SiC e apoiam um melhor controle de defeitos e qualidade do wafer na fabricação de semicondutores.
A espectroscopia de absorção transitória, além de sua aplicação no estudo de sistemas moleculares, é um método técnico crítico para explorar a dinâmica do estado excitado de nanocristais semicondutores ou pontos quânticos. Nesta discussão, usaremos pontos quânticos semicondutores como exemplo para elucidar
