SN-9000 ialah sistem pemeriksaan optik tidak merosakkan untuk substrat β-Ga₂O₃ dan wafer epitaxial. Direka untuk kedua-dua bahan jenis konduktif dan dop tidak sengaja (UID), ia menggabungkan ketepatan dan kecekapan tinggi dengan substrat bersepadu dan pemeriksaan lapisan epitaxial untuk menyokong penilaian kualiti bahan dan pengoptimuman proses.
Untuk pemeriksaan substrat, SN-9000 mengenal pasti kehelan merentasi pelbagai orientasi kristal, serta lompang, pencemaran dan calar. Pengesanan [010] kehelan linearnya telah disahkan silang terhadap XRT. Untuk pemeriksaan wafer epitaxial, sistem menangkap pelbagai kecacatan morfologi dan menawarkan pengecaman kecacatan yang boleh disesuaikan untuk memenuhi keperluan pemeriksaan yang berbeza.
Dengan ketepatan padanan lokasi kecacatan sebanyak 1 μm, SN-9000 membolehkan korelasi tepat kecacatan antara substrat dan lapisan epitaxial. Keupayaan ini membantu pengguna menjejaki pembiakan kecacatan daripada substrat ke lapisan epitaksi, menyiasat punca akar, dan memperhalusi proses substrat dan epitaksi. Sistem ini memuatkan sampel 1 × 1 cm dan wafer 2-, 4-, 6-, dan 8-inci. Untuk wafer 2 inci, daya pemprosesan pemeriksaan melebihi 4 wafer sejam untuk substrat dan 12 wafer sejam untuk wafer epitaxial.
Untuk pemeriksaan substrat, SN-9000 mengenal pasti kehelan merentasi pelbagai orientasi kristal, serta lompang, pencemaran dan calar. Pengesanan [010] kehelan linearnya telah disahkan silang terhadap XRT. Untuk pemeriksaan wafer epitaxial, sistem menangkap pelbagai kecacatan morfologi dan menawarkan pengecaman kecacatan yang boleh disesuaikan untuk memenuhi keperluan pemeriksaan yang berbeza.
Dengan ketepatan padanan lokasi kecacatan sebanyak 1 μm, SN-9000 membolehkan korelasi tepat kecacatan antara substrat dan lapisan epitaxial. Keupayaan ini membantu pengguna menjejaki pembiakan kecacatan daripada substrat ke lapisan epitaksi, menyiasat punca akar, dan memperhalusi proses substrat dan epitaksi. Sistem ini memuatkan sampel 1 × 1 cm dan wafer 2-, 4-, 6-, dan 8-inci. Untuk wafer 2 inci, daya pemprosesan pemeriksaan melebihi 4 wafer sejam untuk substrat dan 12 wafer sejam untuk wafer epitaxial.
Tanya
