O SN-9000 é um sistema de inspeção óptica não destrutivo para substratos β-Ga₂O₃ e wafers epitaxiais. Projetado para materiais do tipo condutivo e dopados não intencionalmente (UID), ele combina alta precisão e eficiência com inspeção integrada de substrato e camada epitaxial para apoiar a avaliação da qualidade do material e a otimização do processo.
Para inspeção de substrato, o SN-9000 identifica deslocamentos em diversas orientações de cristal, bem como vazios, contaminação e arranhões. Sua detecção de deslocamentos lineares [010] foi validada cruzadamente com XRT. Para inspeção de wafer epitaxial, o sistema captura uma variedade de defeitos morfológicos e oferece reconhecimento de defeitos personalizável para atender a diferentes requisitos de inspeção.
Com precisão de correspondência de localização de defeitos de 1 μm, o SN-9000 permite correlação precisa de defeitos entre o substrato e a camada epitaxial. Esse recurso ajuda os usuários a rastrear a propagação de defeitos do substrato até a camada epitaxial, investigar as causas principais e refinar os processos de substrato e epitaxia. O sistema acomoda amostras de 1 × 1 cm e wafers de 2, 4, 6 e 8 polegadas. Para wafers de 2 polegadas, o rendimento da inspeção excede 4 wafers por hora para substratos e 12 wafers por hora para wafers epitaxiais.
Para inspeção de substrato, o SN-9000 identifica deslocamentos em diversas orientações de cristal, bem como vazios, contaminação e arranhões. Sua detecção de deslocamentos lineares [010] foi validada cruzadamente com XRT. Para inspeção de wafer epitaxial, o sistema captura uma variedade de defeitos morfológicos e oferece reconhecimento de defeitos personalizável para atender a diferentes requisitos de inspeção.
Com precisão de correspondência de localização de defeitos de 1 μm, o SN-9000 permite correlação precisa de defeitos entre o substrato e a camada epitaxial. Esse recurso ajuda os usuários a rastrear a propagação de defeitos do substrato até a camada epitaxial, investigar as causas principais e refinar os processos de substrato e epitaxia. O sistema acomoda amostras de 1 × 1 cm e wafers de 2, 4, 6 e 8 polegadas. Para wafers de 2 polegadas, o rendimento da inspeção excede 4 wafers por hora para substratos e 12 wafers por hora para wafers epitaxiais.
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