ផលិតផល - បដា
SN-9000 β-Ga₂O₃ ស្រទាប់ខាងក្រោម និងប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យពិការភាព Epitaxy
SN-9000 β-Ga₂O₃ ស្រទាប់ខាងក្រោម និងប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យពិការភាព Epitaxy
SN-9000 គឺជាប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យអុបទិកដែលមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញសម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម β-Ga₂O₃ និង wafers epitaxial ។ បានរចនាឡើងសម្រាប់ទាំងសម្ភារៈប្រភេទ conductive និង doped ដោយអចេតនា (UID) វារួមបញ្ចូលគ្នានូវភាពជាក់លាក់ និងប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ជាមួយនឹងការត្រួតពិនិត្យស្រទាប់ខាងក្រោម និង epitaxial រួមបញ្ចូលគ្នា ដើម្បីគាំទ្រដល់ការវាយតម្លៃគុណភាពសម្ភារៈ និងការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការ។

សម្រាប់ការត្រួតពិនិត្យស្រទាប់ខាងក្រោម SN-9000 កំណត់ការផ្លាស់ទីលំនៅនៅទូទាំងការតំរង់ទិសគ្រីស្តាល់ជាច្រើន ក៏ដូចជាការចាត់ទុកជាមោឃៈ ការចម្លងរោគ និងកោស។ ការរកឃើញរបស់វានៃ [010] ការផ្លាស់ទីលំនៅលីនេអ៊ែរត្រូវបានឆ្លងកាត់សុពលភាពប្រឆាំងនឹង XRT ។ សម្រាប់ការត្រួតពិនិត្យ wafer epitaxial ប្រព័ន្ធចាប់យកជួរនៃពិការភាព morphological និងផ្តល់នូវការទទួលស្គាល់ពិការភាពប្ដូរតាមបំណងដើម្បីបំពេញតាមតម្រូវការអធិការកិច្ចផ្សេងគ្នា។

ជាមួយនឹងភាពត្រឹមត្រូវនៃការផ្គូផ្គងទីតាំងពិការភាព 1 μm SN-9000 អនុញ្ញាតឱ្យមានទំនាក់ទំនងច្បាស់លាស់នៃពិការភាពរវាងស្រទាប់ខាងក្រោម និងស្រទាប់ epitaxial ។ សមត្ថភាពនេះជួយអ្នកប្រើប្រាស់តាមដានការរីករាលដាលនៃពិការភាពពីស្រទាប់ខាងក្រោមទៅស្រទាប់ epitaxial ស៊ើបអង្កេតមូលហេតុឫសគល់ និងកែលម្អដំណើរការនៃស្រទាប់ខាងក្រោម និង epitaxy ។ ប្រព័ន្ធនេះមានគំរូទំហំ 1 × 1 សង់ទីម៉ែត្រ និង 2-, 4-, 6-, និង 8-inch wafers ។ សម្រាប់ wafers 2-inch ការត្រួតពិនិត្យឆ្លងកាត់លើសពី 4 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម និង 12 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers epitaxial ។
សាកសួរ

លក្ខណៈពិសេស

01

មិនបំផ្លិចបំផ្លាញ

02

ការត្រួតពិនិត្យស្រទាប់ខាងក្រោម និង Epi-Wafer

03

ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ & ប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់។

លក្ខណៈបច្ចេកទេស

សម្ភារៈ ប្រភេទចរន្ត និង UID-ប្រភេទ β-Ga₂O₃ ស្រទាប់ខាងក្រោម និង Epitaxial Wafers
ទំហំ Wafer 1 × 1 សង់ទីម៉ែត្រ, 2', 4', 6', 8'
ប្រភេទនៃពិការភាព
ស្រទាប់ខាងក្រោម៖ បែកខ្ញែក, មោឃៈ, ការចម្លងរោគ, កោស
Epitaxy៖ ការកំណត់លក្ខណៈដែលអាចប្ដូរតាមបំណងនៃពិការភាព morphological ផ្សេងៗនៅក្នុងបន្ទះឈើគ្រីស្តាល់
ឆ្លងកាត់ការត្រួតពិនិត្យ
β-Ga₂O₃ ស្រទាប់ខាងក្រោម៖ > 4 WPH @ 2'
β-Ga₂O₃ Epitaxy៖ >12 WPH @ 2'

ឧទាហរណ៍

① SN-9000 Defect Identification Atlas សម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម Gallium Oxide

SN-9000 Defect Identification Atlas សម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម Gallium Oxide
  • SN-9000 អនុញ្ញាតឱ្យកំណត់លក្ខណៈមិនបំផ្លិចបំផ្លាញនៃស្រទាប់ខាងក្រោម Ga₂O₃ កំណត់ការផ្លាស់ទីលំនៅនៅទូទាំងការតំរង់ទិសគ្រីស្តាល់ជាច្រើន និងរកឃើញពិការភាពលើផ្ទៃដូចជាការចាត់ទុកជាមោឃៈ កោស និងការចម្លងរោគ។

② ការត្រួតពិនិត្យការផ្លាស់ទីលំនៅ SN-9000 ឆ្លងកាត់សុពលភាពប្រឆាំងនឹង XRT

ការត្រួតពិនិត្យការផ្លាស់ទីលំនៅ SN-9000 ឆ្លងកាត់សុពលភាពប្រឆាំងនឹង XRT
  • SN-9000 រកឃើញ [010] ការផ្លាស់ទីលំនៅលីនេអ៊ែរនៅក្នុងស្រទាប់ខាងក្រោម Ga₂O₃ ដែលត្រូវបានសម្គាល់យ៉ាងជាក់លាក់ប្រឆាំងនឹង XRT ។

③ Ga₂O₃ Epitaxial Wafer: Atlas ការទទួលស្គាល់កំហុសច្រើនប្រភេទ

Ga₂O₃ Epitaxial Wafer Multi-Type Defect Recognition Atlas
  • SN-9000 ចាប់យកយ៉ាងជាក់លាក់នូវពិការភាព morphological ជាច្រើននៅក្នុងស្រទាប់ epitaxial Ga₂O₃ ជាមួយនឹងការទទួលស្គាល់ពិការភាពដែលអាចប្ដូរតាមបំណងបាន។
តាមរយៈការផ្តល់ដំណោះស្រាយប្រកបដោយភាពច្នៃប្រឌិត ដែលអាចទុកចិត្តបាន និងអាចធ្វើមាត្រដ្ឋានបាន យើងផ្តល់សិទ្ធិអំណាចដល់ឧស្សាហកម្មនានា ដើម្បីសម្រេចបាននូវភាពជាក់លាក់ និងប្រសិទ្ធភាពដែលមិនអាចប្រៀបផ្ទឹមបាន ដែលជំរុញឱ្យមានវឌ្ឍនភាពក្នុងការស្រាវជ្រាវ និងការផលិតនៅទូទាំងពិភពលោក។
រក្សាសិទ្ធិ © 2025 Time Tech Spectra ។ រក្សាសិទ្ធិគ្រប់យ៉ាង..| ផែនទីគេហទំព័រ | គោលការណ៍ឯកជនភាព