banner-sản phẩm
SN-9000 β-Ga₂O₃ Hệ thống kiểm tra khuyết tật chất nền và epitaxy
SN-9000 β-Ga₂O₃ Hệ thống kiểm tra khuyết tật chất nền và epitaxy
SN-9000 là hệ thống kiểm tra quang học không phá hủy đối với chất nền β-Ga₂O₃ và tấm wafer epiticular. Được thiết kế cho cả vật liệu loại dẫn điện và vật liệu pha tạp không chủ ý (UID), nó kết hợp độ chính xác và hiệu quả cao với việc kiểm tra lớp nền và lớp epiticular tích hợp để hỗ trợ đánh giá chất lượng vật liệu và tối ưu hóa quy trình.

Để kiểm tra chất nền, SN-9000 xác định các sai lệch trên nhiều hướng tinh thể, cũng như các khoảng trống, vết bẩn và vết trầy xước. Việc phát hiện sai lệch tuyến tính [010] của nó đã được xác nhận chéo dựa trên XRT. Để kiểm tra tấm wafer epiticular, hệ thống ghi lại một loạt các khuyết tật về hình thái và cung cấp khả năng nhận dạng khuyết tật có thể tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu kiểm tra khác nhau.

Với độ chính xác khớp vị trí khuyết tật là 1 μm, SN-9000 cho phép tương quan chính xác các khuyết tật giữa lớp nền và lớp epiticular. Khả năng này giúp người dùng theo dõi sự lan truyền khuyết tật từ lớp nền đến lớp epiticular, điều tra nguyên nhân gốc rễ và tinh chỉnh các quy trình nền và epit Wax. Hệ thống chứa các mẫu 1 × 1 cm và các tấm wafer 2, 4, 6 và 8 inch. Đối với các tấm bán dẫn 2 inch, tốc độ kiểm tra vượt quá 4 tấm bán dẫn mỗi giờ đối với chất nền và 12 tấm bán dẫn mỗi giờ đối với các tấm bán dẫn epiticular.
hỏi thăm

Đặc trưng

01

Không phá hủy

02

Kiểm tra chất nền & Epi-wafer

03

Độ chính xác cao và hiệu quả cao

Thông số kỹ thuật

Nguyên vật liệu Chất nền β-Ga₂O₃ loại dẫn điện và UID và tấm wafer epiticular
Kích thước bánh xốp 1 × 1 cm, 2', 4', 6', 8'
Các loại khuyết tật
Chất nền: Trật khớp, Khoảng trống, Ô nhiễm, Trầy xước
Epitaxy: Đặc tính có thể tùy chỉnh của các khiếm khuyết hình thái khác nhau trong mạng tinh thể
Thông lượng kiểm tra
β-Ga₂O₃ Chất nền: >4 WPH @ 2'
β-Ga₂O₃ Epit Wax: >12 WPH @ 2'

Ví dụ

① SN-9000 Bản đồ nhận dạng khuyết tật cho chất nền oxit gali

Bản đồ nhận dạng khuyết tật SN-9000 cho chất nền oxit gali
  • SN-9000 cho phép xác định đặc tính không phá hủy của chất nền Ga₂O₃, xác định sự sai lệch trên nhiều hướng tinh thể và phát hiện các khuyết tật bề mặt như lỗ rỗng, vết trầy xước và nhiễm bẩn.

② Kiểm tra sai lệch SN-9000 được xác thực chéo đối với XRT

Kiểm tra trật khớp SN-9000 được xác thực chéo chống lại XRT
  • SN-9000 phát hiện sai lệch tuyến tính [010] trong chất nền Ga₂O₃, được so sánh chính xác với XRT.

③ Ga₂O₃ Epiticular wafer: Bản đồ nhận dạng khuyết tật đa loại

Bản đồ nhận dạng khuyết tật đa loại của Ga₂O₃ Epiticular Wafer
  • SN-9000 ghi lại chính xác các khiếm khuyết hình thái khác nhau trong các lớp epitaxy Ga₂O₃, với tính năng nhận dạng khuyết tật có thể tùy chỉnh được tích hợp sẵn.
Bằng cách cung cấp các giải pháp đổi mới, đáng tin cậy và có thể mở rộng, chúng tôi hỗ trợ các ngành đạt được độ chính xác và hiệu quả vượt trội, thúc đẩy tiến bộ trong nghiên cứu và sản xuất trên toàn thế giới.
Bản quyền © 2025 Time Tech Spectra. Mọi quyền được bảo lưu.| Sơ đồ trang web | Chính sách bảo mật