Kecacatan kehelan dalam wafer SiC, seperti TSD, TED dan BPD, mengehadkan hasil dan kebolehpercayaan peranti secara kritikal, sementara mekanisme pertumbuhannya masih tidak difahami dengan secukupnya. Kerja ini mempersembahkan kaedah pemeriksaan yang pantas dan tidak merosakkan berdasarkan spektroskopi penyerapan sementara dan algoritma AI untuk pengesanan dan pengelasan kecacatan yang tepat. Kajian ini mendedahkan mod pertumbuhan yang berbeza bagi kehelan benang dan mengenal pasti hubungan transformasi antara kehelan dan kecacatan satah asas. Penemuan ini memberikan pandangan baharu tentang pertumbuhan kristal SiC dan menyokong kawalan kecacatan dan kualiti wafer yang lebih baik dalam pembuatan semikonduktor.
Spektroskopi serapan sementara, sebagai tambahan kepada aplikasinya dalam mengkaji sistem molekul, adalah kaedah teknikal kritikal untuk meneroka dinamik keadaan teruja nanohablur semikonduktor atau titik kuantum. Dalam perbincangan ini, kita akan menggunakan titik kuantum semikonduktor sebagai contoh untuk menjelaskan
