Produk Kami

Teknologi Pemeriksaan Kecacatan Dislokasi Tidak Musnah Membantu Kajian Mekanisme Pertumbuhan Kecacatan Dislokasi dalam Kristal SiC

Kecacatan kehelan dalam wafer SiC, seperti TSD, TED dan BPD, mengehadkan hasil dan kebolehpercayaan peranti secara kritikal, sementara mekanisme pertumbuhannya masih tidak difahami dengan secukupnya. Kerja ini mempersembahkan kaedah pemeriksaan yang pantas dan tidak merosakkan berdasarkan spektroskopi penyerapan sementara dan algoritma AI untuk pengesanan dan pengelasan kecacatan yang tepat. Kajian itu mendedahkan mod pertumbuhan yang berbeza bagi kehelan benang dan mengenal pasti hubungan transformasi antara kehelan dan kecacatan satah asas. Penemuan ini memberikan pandangan baharu tentang pertumbuhan kristal SiC dan menyokong kawalan kecacatan dan kualiti wafer yang lebih baik dalam pembuatan semikonduktor.

TTS Melancarkan Peningkatan Komprehensif Sistem Pengimejan Sepanjang Hayat Pembawa Wafer Minoriti SiC – TAU-9000

Sertai Kami di ACS 2026