El SN-9000 es un sistema de inspección óptica no destructivo para sustratos de β-Ga₂O₃ y obleas epitaxiales. Diseñado tanto para materiales de tipo conductor como para materiales dopados no intencionalmente (UID), combina alta precisión y eficiencia con una inspección integrada del sustrato y de la capa epitaxial para respaldar la evaluación de la calidad del material y la optimización del proceso.
Para la inspección de sustratos, el SN-9000 identifica dislocaciones en múltiples orientaciones de cristales, así como huecos, contaminación y rayones. Su detección de [010] dislocaciones lineales se ha validado de forma cruzada con XRT. Para la inspección de obleas epitaxiales, el sistema captura una variedad de defectos morfológicos y ofrece un reconocimiento de defectos personalizable para cumplir con diferentes requisitos de inspección.
Con una precisión de coincidencia de ubicación de defectos de 1 μm, el SN-9000 permite una correlación precisa de los defectos entre el sustrato y la capa epitaxial. Esta capacidad ayuda a los usuarios a rastrear la propagación de defectos desde el sustrato hasta la capa epitaxial, investigar las causas fundamentales y refinar los procesos de sustrato y epitaxia. El sistema admite muestras de 1 × 1 cm y obleas de 2, 4, 6 y 8 pulgadas. Para obleas de 2 pulgadas, el rendimiento de inspección supera las 4 obleas por hora para sustratos y las 12 obleas por hora para obleas epitaxiales.
Para la inspección de sustratos, el SN-9000 identifica dislocaciones en múltiples orientaciones de cristales, así como huecos, contaminación y rayones. Su detección de [010] dislocaciones lineales se ha validado de forma cruzada con XRT. Para la inspección de obleas epitaxiales, el sistema captura una variedad de defectos morfológicos y ofrece un reconocimiento de defectos personalizable para cumplir con diferentes requisitos de inspección.
Con una precisión de coincidencia de ubicación de defectos de 1 μm, el SN-9000 permite una correlación precisa de los defectos entre el sustrato y la capa epitaxial. Esta capacidad ayuda a los usuarios a rastrear la propagación de defectos desde el sustrato hasta la capa epitaxial, investigar las causas fundamentales y refinar los procesos de sustrato y epitaxia. El sistema admite muestras de 1 × 1 cm y obleas de 2, 4, 6 y 8 pulgadas. Para obleas de 2 pulgadas, el rendimiento de inspección supera las 4 obleas por hora para sustratos y las 12 obleas por hora para obleas epitaxiales.
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