Das SN-9000 ist ein zerstörungsfreies optisches Inspektionssystem für β-Ga₂O₃-Substrate und epitaktische Wafer. Es wurde sowohl für leitende als auch für unbeabsichtigt dotierte (UID) Materialien entwickelt und kombiniert hohe Präzision und Effizienz mit integrierter Substrat- und Epitaxieschichtinspektion, um die Materialqualitätsbewertung und Prozessoptimierung zu unterstützen.
Bei der Substratinspektion identifiziert der SN-9000 Versetzungen über mehrere Kristallorientierungen hinweg sowie Hohlräume, Verunreinigungen und Kratzer. Der Nachweis linearer [010]-Versetzungen wurde mit XRT kreuzvalidiert. Für die epitaktische Waferinspektion erfasst das System eine Reihe morphologischer Defekte und bietet eine anpassbare Defekterkennung, um unterschiedliche Inspektionsanforderungen zu erfüllen.
Mit einer Fehlerortanpassungsgenauigkeit von 1 μm ermöglicht der SN-9000 eine präzise Korrelation von Fehlern zwischen dem Substrat und der Epitaxieschicht. Diese Funktion hilft Benutzern, die Defektausbreitung vom Substrat zur Epitaxieschicht zu verfolgen, Grundursachen zu untersuchen und Substrat- und Epitaxieprozesse zu verfeinern. Das System bietet Platz für 1 × 1 cm große Proben und 2-, 4-, 6- und 8-Zoll-Wafer. Bei 2-Zoll-Wafern beträgt der Inspektionsdurchsatz mehr als 4 Wafer pro Stunde für Substrate und 12 Wafer pro Stunde für epitaktische Wafer.
Bei der Substratinspektion identifiziert der SN-9000 Versetzungen über mehrere Kristallorientierungen hinweg sowie Hohlräume, Verunreinigungen und Kratzer. Der Nachweis linearer [010]-Versetzungen wurde mit XRT kreuzvalidiert. Für die epitaktische Waferinspektion erfasst das System eine Reihe morphologischer Defekte und bietet eine anpassbare Defekterkennung, um unterschiedliche Inspektionsanforderungen zu erfüllen.
Mit einer Fehlerortanpassungsgenauigkeit von 1 μm ermöglicht der SN-9000 eine präzise Korrelation von Fehlern zwischen dem Substrat und der Epitaxieschicht. Diese Funktion hilft Benutzern, die Defektausbreitung vom Substrat zur Epitaxieschicht zu verfolgen, Grundursachen zu untersuchen und Substrat- und Epitaxieprozesse zu verfeinern. Das System bietet Platz für 1 × 1 cm große Proben und 2-, 4-, 6- und 8-Zoll-Wafer. Bei 2-Zoll-Wafern beträgt der Inspektionsdurchsatz mehr als 4 Wafer pro Stunde für Substrate und 12 Wafer pro Stunde für epitaktische Wafer.
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