SN-9000 adalah sistem inspeksi optik non-destruktif untuk substrat β-Ga₂O₃ dan wafer epitaksi. Dirancang untuk material tipe konduktif dan doping yang tidak disengaja (UID), material ini menggabungkan presisi dan efisiensi tinggi dengan inspeksi lapisan substrat dan epitaksi terintegrasi untuk mendukung penilaian kualitas material dan optimalisasi proses.
Untuk pemeriksaan substrat, SN-9000 mengidentifikasi dislokasi pada berbagai orientasi kristal, serta rongga, kontaminasi, dan goresan. Deteksi dislokasi linier [010] telah divalidasi silang terhadap XRT. Untuk pemeriksaan wafer epitaksi, sistem menangkap serangkaian cacat morfologi dan menawarkan pengenalan cacat yang dapat disesuaikan untuk memenuhi berbagai persyaratan pemeriksaan.
Dengan akurasi pencocokan lokasi cacat sebesar 1 μm, SN-9000 memungkinkan korelasi cacat yang tepat antara substrat dan lapisan epitaksi. Kemampuan ini membantu pengguna melacak penyebaran cacat dari substrat ke lapisan epitaksi, menyelidiki akar permasalahan, dan menyempurnakan proses substrat dan epitaksi. Sistem ini mengakomodasi sampel berukuran 1 × 1 cm dan wafer berukuran 2, 4, 6, dan 8 inci. Untuk wafer 2 inci, hasil pemeriksaan melebihi 4 wafer per jam untuk substrat dan 12 wafer per jam untuk wafer epitaksi.
Untuk pemeriksaan substrat, SN-9000 mengidentifikasi dislokasi pada berbagai orientasi kristal, serta rongga, kontaminasi, dan goresan. Deteksi dislokasi linier [010] telah divalidasi silang terhadap XRT. Untuk pemeriksaan wafer epitaksi, sistem menangkap serangkaian cacat morfologi dan menawarkan pengenalan cacat yang dapat disesuaikan untuk memenuhi berbagai persyaratan pemeriksaan.
Dengan akurasi pencocokan lokasi cacat sebesar 1 μm, SN-9000 memungkinkan korelasi cacat yang tepat antara substrat dan lapisan epitaksi. Kemampuan ini membantu pengguna melacak penyebaran cacat dari substrat ke lapisan epitaksi, menyelidiki akar permasalahan, dan menyempurnakan proses substrat dan epitaksi. Sistem ini mengakomodasi sampel berukuran 1 × 1 cm dan wafer berukuran 2, 4, 6, dan 8 inci. Untuk wafer 2 inci, hasil pemeriksaan melebihi 4 wafer per jam untuk substrat dan 12 wafer per jam untuk wafer epitaksi.
Menanyakan
