Sistem Pemeriksaan Optik Tidak Musnah Automatik Sepenuhnya DISPEC-9000 mencirikan kecacatan kehelan dalam wafer substrat SiC jenis N. Ia menggabungkan pengenalan kecacatan, analisis ketumpatan dan pemetaan spatial untuk menyokong kawalan kualiti bahan, pemeriksaan pengeluaran dan pengoptimuman proses.
Sistem ini menyokong pemeriksaan kedua-dua muka Si dan muka C serta memuatkan wafer 6-, 8- dan 12 inci. Keupayaan pemeriksaan ialah 4–5 wafer sejam untuk wafer 6 inci, 2–3 wafer sejam untuk wafer 8 inci dan 1 wafer sejam untuk wafer 12 inci. Satu ukuran secara serentak menangkap isyarat daripada kehelan tepi berbenang (TED), kehelan skru berbenang (TSD) dan kehelan satah basal (BPD). Sistem ini juga menyokong pengesanan kerosakan susun (SF), paip mikro (MP), kemasukan karbon, kecacatan heterokristalin dan jenis kecacatan lain, membolehkan penilaian kecacatan merentas pelbagai saiz wafer substrat.
Pengenalpastian kecacatan dan analisis ketumpatan berbantukan AI, bersama dengan analisis kecacatan yang ditentukan pengguna, membolehkan sistem menghasilkan imej optik dan peta ketumpatan kecacatan secara serentak, mendedahkan ciri kecacatan dan pengedarannya merentasi wafer. Ujian perbandingan menunjukkan persetujuan rapat dengan topografi sinar-X (XRT) untuk pengesanan TSD dan dengan etsa KOH untuk pengesanan TED dan BPD. Pengukuran berulang pada instrumen yang sama dan perbandingan antara instrumen juga menunjukkan kebolehulangan dan kebolehulangan yang baik.
Sistem ini menyokong pemeriksaan kedua-dua muka Si dan muka C serta memuatkan wafer 6-, 8- dan 12 inci. Keupayaan pemeriksaan ialah 4–5 wafer sejam untuk wafer 6 inci, 2–3 wafer sejam untuk wafer 8 inci dan 1 wafer sejam untuk wafer 12 inci. Satu ukuran secara serentak menangkap isyarat daripada kehelan tepi berbenang (TED), kehelan skru berbenang (TSD) dan kehelan satah basal (BPD). Sistem ini juga menyokong pengesanan kerosakan susun (SF), paip mikro (MP), kemasukan karbon, kecacatan heterokristalin dan jenis kecacatan lain, membolehkan penilaian kecacatan merentas pelbagai saiz wafer substrat.
Pengenalpastian kecacatan dan analisis ketumpatan berbantukan AI, bersama dengan analisis kecacatan yang ditentukan pengguna, membolehkan sistem menghasilkan imej optik dan peta ketumpatan kecacatan secara serentak, mendedahkan ciri kecacatan dan pengedarannya merentasi wafer. Ujian perbandingan menunjukkan persetujuan rapat dengan topografi sinar-X (XRT) untuk pengesanan TSD dan dengan etsa KOH untuk pengesanan TED dan BPD. Pengukuran berulang pada instrumen yang sama dan perbandingan antara instrumen juga menunjukkan kebolehulangan dan kebolehulangan yang baik.
Tanya
