ប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យអុបទិកគ្មានការបំផ្លិចបំផ្លាញដោយស្វ័យប្រវត្តិ DISPEC-9000 កំណត់លក្ខណៈពិការភាពនៃការផ្លាស់ទីលំនៅនៅក្នុង wafers ស្រទាប់ N-type SiC ។ វារួមបញ្ចូលគ្នានូវការកំណត់អត្តសញ្ញាណពិការភាព ការវិភាគដង់ស៊ីតេ និងការធ្វើផែនទីតាមលំហ ដើម្បីគាំទ្រការគ្រប់គ្រងគុណភាពសម្ភារៈ ការត្រួតពិនិត្យផលិតកម្ម និងការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការ។
ប្រព័ន្ធនេះគាំទ្រការត្រួតពិនិត្យទាំង Si-face និង C-face ហើយផ្ទុកនូវ wafers ទំហំ 6-, 8-, និង 12-inch។ ការត្រួតពិនិត្យគឺ 4-5 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers 6-inch, 2-3 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers 8-inch និង 1 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers 12-inch។ ការវាស់វែងតែមួយក្នុងពេលដំណាលគ្នាចាប់យកសញ្ញាពីការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់គែមខ្សែស្រឡាយ (TEDs) ការរំកិលវីសនៃខ្សែស្រឡាយ (TSDs) និងការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់យន្តហោះមូលដ្ឋាន (BPDs) ។ ប្រព័ន្ធនេះក៏គាំទ្រការរកឃើញកំហុសជង់ (SFs) មីក្រូបំពង់ (MPs) ការរួមបញ្ចូលកាបូន ពិការភាព heterocrystalline និងប្រភេទពិការភាពផ្សេងទៀត ដែលអនុញ្ញាតឱ្យមានការវាយតម្លៃពិការភាពនៅទូទាំងទំហំ wafer ស្រទាប់ខាងក្រោមជាច្រើន។
ការកំណត់អត្តសញ្ញាណពិការភាព និងការវិភាគដង់ស៊ីតេដែលជំនួយដោយ AI រួមជាមួយនឹងការវិភាគពិការភាពដែលកំណត់ដោយអ្នកប្រើប្រាស់ អនុញ្ញាតឱ្យប្រព័ន្ធបង្កើតរូបភាពអុបទិក និងផែនទីដង់ស៊ីតេពិការភាពក្នុងពេលដំណាលគ្នា ដោយបង្ហាញពីលក្ខណៈពិការភាព និងការចែកចាយរបស់វានៅទូទាំង wafer ។ ការធ្វើតេស្តប្រៀបធៀបបង្ហាញពីការព្រមព្រៀងជិតស្និទ្ធជាមួយសណ្ឋានដីកាំរស្មីអ៊ិច (XRT) សម្រាប់ការរកឃើញ TSD និងជាមួយការឆ្លាក់ KOH សម្រាប់ការរកឃើញ TED និង BPD ។ ការវាស់វែងម្តងហើយម្តងទៀតនៅលើឧបករណ៍ដូចគ្នា និងការប្រៀបធៀបរវាងឧបករណ៍ក៏បង្ហាញពីលទ្ធភាពនៃការផលិតឡើងវិញ និងការបន្តពូជដ៏ល្អផងដែរ។
ប្រព័ន្ធនេះគាំទ្រការត្រួតពិនិត្យទាំង Si-face និង C-face ហើយផ្ទុកនូវ wafers ទំហំ 6-, 8-, និង 12-inch។ ការត្រួតពិនិត្យគឺ 4-5 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers 6-inch, 2-3 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers 8-inch និង 1 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafers 12-inch។ ការវាស់វែងតែមួយក្នុងពេលដំណាលគ្នាចាប់យកសញ្ញាពីការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់គែមខ្សែស្រឡាយ (TEDs) ការរំកិលវីសនៃខ្សែស្រឡាយ (TSDs) និងការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់យន្តហោះមូលដ្ឋាន (BPDs) ។ ប្រព័ន្ធនេះក៏គាំទ្រការរកឃើញកំហុសជង់ (SFs) មីក្រូបំពង់ (MPs) ការរួមបញ្ចូលកាបូន ពិការភាព heterocrystalline និងប្រភេទពិការភាពផ្សេងទៀត ដែលអនុញ្ញាតឱ្យមានការវាយតម្លៃពិការភាពនៅទូទាំងទំហំ wafer ស្រទាប់ខាងក្រោមជាច្រើន។
ការកំណត់អត្តសញ្ញាណពិការភាព និងការវិភាគដង់ស៊ីតេដែលជំនួយដោយ AI រួមជាមួយនឹងការវិភាគពិការភាពដែលកំណត់ដោយអ្នកប្រើប្រាស់ អនុញ្ញាតឱ្យប្រព័ន្ធបង្កើតរូបភាពអុបទិក និងផែនទីដង់ស៊ីតេពិការភាពក្នុងពេលដំណាលគ្នា ដោយបង្ហាញពីលក្ខណៈពិការភាព និងការចែកចាយរបស់វានៅទូទាំង wafer ។ ការធ្វើតេស្តប្រៀបធៀបបង្ហាញពីការព្រមព្រៀងជិតស្និទ្ធជាមួយសណ្ឋានដីកាំរស្មីអ៊ិច (XRT) សម្រាប់ការរកឃើញ TSD និងជាមួយការឆ្លាក់ KOH សម្រាប់ការរកឃើញ TED និង BPD ។ ការវាស់វែងម្តងហើយម្តងទៀតនៅលើឧបករណ៍ដូចគ្នា និងការប្រៀបធៀបរវាងឧបករណ៍ក៏បង្ហាញពីលទ្ធភាពនៃការផលិតឡើងវិញ និងការបន្តពូជដ៏ល្អផងដែរ។
សាកសួរ
