O sistema de inspeção óptica não destrutiva totalmente automatizado DISPEC-9000 caracteriza defeitos de deslocamento em wafers de substrato de SiC tipo N. Ele combina identificação de defeitos, análise de densidade e mapeamento espacial para apoiar o controle de qualidade de materiais, inspeção de produção e otimização de processos.
O sistema oferece suporte à inspeção da face Si e da face C e acomoda wafers de 6, 8 e 12 polegadas. O rendimento da inspeção é de 4 a 5 wafers por hora para wafers de 6 polegadas, 2 a 3 wafers por hora para wafers de 8 polegadas e 1 wafer por hora para wafers de 12 polegadas. Uma única medição captura simultaneamente sinais de luxações de borda rosqueada (TEDs), luxações de parafuso rosqueado (TSDs) e luxações do plano basal (BPDs). O sistema também oferece suporte à detecção de falhas de empilhamento (SFs), microtubos (MPs), inclusões de carbono, defeitos heterocristalinos e outros tipos de defeitos, permitindo a avaliação de defeitos em vários tamanhos de wafer de substrato.
A identificação de defeitos e a análise de densidade assistida por IA, juntamente com a análise de defeitos definida pelo usuário, permitem que o sistema produza imagens ópticas e mapas de densidade de defeitos simultaneamente, revelando características de defeitos e sua distribuição no wafer. Os testes comparativos mostram uma estreita concordância com a topografia de raios X (XRT) para detecção de TSD e com a gravação KOH para detecção de TED e BPD. Medições repetidas no mesmo instrumento e comparações entre instrumentos também demonstram boa repetibilidade e reprodutibilidade.
O sistema oferece suporte à inspeção da face Si e da face C e acomoda wafers de 6, 8 e 12 polegadas. O rendimento da inspeção é de 4 a 5 wafers por hora para wafers de 6 polegadas, 2 a 3 wafers por hora para wafers de 8 polegadas e 1 wafer por hora para wafers de 12 polegadas. Uma única medição captura simultaneamente sinais de luxações de borda rosqueada (TEDs), luxações de parafuso rosqueado (TSDs) e luxações do plano basal (BPDs). O sistema também oferece suporte à detecção de falhas de empilhamento (SFs), microtubos (MPs), inclusões de carbono, defeitos heterocristalinos e outros tipos de defeitos, permitindo a avaliação de defeitos em vários tamanhos de wafer de substrato.
A identificação de defeitos e a análise de densidade assistida por IA, juntamente com a análise de defeitos definida pelo usuário, permitem que o sistema produza imagens ópticas e mapas de densidade de defeitos simultaneamente, revelando características de defeitos e sua distribuição no wafer. Os testes comparativos mostram uma estreita concordância com a topografia de raios X (XRT) para detecção de TSD e com a gravação KOH para detecção de TED e BPD. Medições repetidas no mesmo instrumento e comparações entre instrumentos também demonstram boa repetibilidade e reprodutibilidade.
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