Sistem Inspeksi Optik Non-destruktif Otomatis DISPEC-9000 mencirikan cacat dislokasi pada wafer substrat SiC tipe-N. Ini menggabungkan identifikasi cacat, analisis kepadatan, dan pemetaan spasial untuk mendukung kontrol kualitas material, inspeksi produksi, dan optimalisasi proses.
Sistem ini mendukung pemeriksaan muka Si dan muka C serta mengakomodasi wafer berukuran 6, 8, dan 12 inci. Throughput inspeksi adalah 4–5 wafer per jam untuk wafer 6 inci, 2–3 wafer per jam untuk wafer 8 inci, dan 1 wafer per jam untuk wafer 12 inci. Pengukuran tunggal secara bersamaan menangkap sinyal dari dislokasi tepi ulir (TED), dislokasi sekrup ulir (TSD), dan dislokasi bidang basal (BPD). Sistem ini juga mendukung deteksi kesalahan penumpukan (SF), pipa mikro (MP), inklusi karbon, cacat heterokristalin, dan jenis cacat lainnya, sehingga memungkinkan penilaian cacat pada berbagai ukuran wafer substrat.
Identifikasi cacat dan analisis kepadatan yang dibantu AI, bersama dengan analisis cacat yang ditentukan pengguna, memungkinkan sistem menghasilkan gambar optik dan peta kepadatan cacat secara bersamaan, mengungkapkan fitur cacat dan distribusinya di seluruh wafer. Pengujian komparatif menunjukkan kesesuaian yang erat dengan topografi sinar-X (XRT) untuk deteksi TSD dan dengan etsa KOH untuk deteksi TED dan BPD. Pengukuran berulang pada instrumen yang sama dan perbandingan antar instrumen juga menunjukkan kemampuan pengulangan dan reproduktifitas yang baik.
Sistem ini mendukung pemeriksaan muka Si dan muka C serta mengakomodasi wafer berukuran 6, 8, dan 12 inci. Throughput inspeksi adalah 4–5 wafer per jam untuk wafer 6 inci, 2–3 wafer per jam untuk wafer 8 inci, dan 1 wafer per jam untuk wafer 12 inci. Pengukuran tunggal secara bersamaan menangkap sinyal dari dislokasi tepi ulir (TED), dislokasi sekrup ulir (TSD), dan dislokasi bidang basal (BPD). Sistem ini juga mendukung deteksi kesalahan penumpukan (SF), pipa mikro (MP), inklusi karbon, cacat heterokristalin, dan jenis cacat lainnya, sehingga memungkinkan penilaian cacat pada berbagai ukuran wafer substrat.
Identifikasi cacat dan analisis kepadatan yang dibantu AI, bersama dengan analisis cacat yang ditentukan pengguna, memungkinkan sistem menghasilkan gambar optik dan peta kepadatan cacat secara bersamaan, mengungkapkan fitur cacat dan distribusinya di seluruh wafer. Pengujian komparatif menunjukkan kesesuaian yang erat dengan topografi sinar-X (XRT) untuk deteksi TSD dan dengan etsa KOH untuk deteksi TED dan BPD. Pengukuran berulang pada instrumen yang sama dan perbandingan antar instrumen juga menunjukkan kemampuan pengulangan dan reproduktifitas yang baik.
Menanyakan
