Hệ thống kiểm tra quang học không phá hủy hoàn toàn tự động DISPEC-9000 mô tả các khuyết tật sai lệch trong tấm nền SiC loại N. Nó kết hợp việc xác định khuyết tật, phân tích mật độ và lập bản đồ không gian để hỗ trợ kiểm soát chất lượng vật liệu, kiểm tra sản xuất và tối ưu hóa quy trình.
Hệ thống này hỗ trợ kiểm tra cả mặt Si và mặt C, đồng thời chứa các tấm bán dẫn 6, 8 và 12 inch. Công suất kiểm tra là 4–5 tấm wafer mỗi giờ đối với tấm wafer 6 inch, 2–3 tấm wafer mỗi giờ đối với tấm wafer 8 inch và 1 tấm wafer mỗi giờ đối với tấm wafer 12 inch. Một phép đo duy nhất đồng thời thu thập các tín hiệu từ trật khớp ren (TED), trật khớp ren (TSD) và trật khớp mặt phẳng cơ bản (BPD). Hệ thống này cũng hỗ trợ phát hiện các lỗi xếp chồng (SF), micropipes (MP), vùi cacbon, khuyết tật dị tinh thể và các loại khuyết tật khác, cho phép đánh giá khuyết tật trên nhiều kích thước tấm bán dẫn nền.
Phân tích mật độ và nhận dạng khuyết tật được AI hỗ trợ, cùng với phân tích khuyết tật do người dùng xác định, cho phép hệ thống tạo ra hình ảnh quang học và bản đồ mật độ khuyết tật đồng thời, phát hiện các đặc điểm khuyết tật và sự phân bố của chúng trên tấm bán dẫn. Thử nghiệm so sánh cho thấy sự phù hợp chặt chẽ với địa hình tia X (XRT) để phát hiện TSD và với phương pháp khắc KOH để phát hiện TED và BPD. Các phép đo lặp lại trên cùng một thiết bị và so sánh giữa các thiết bị cũng cho thấy độ lặp lại và độ tái lập tốt.
Hệ thống này hỗ trợ kiểm tra cả mặt Si và mặt C, đồng thời chứa các tấm bán dẫn 6, 8 và 12 inch. Công suất kiểm tra là 4–5 tấm wafer mỗi giờ đối với tấm wafer 6 inch, 2–3 tấm wafer mỗi giờ đối với tấm wafer 8 inch và 1 tấm wafer mỗi giờ đối với tấm wafer 12 inch. Một phép đo duy nhất đồng thời thu thập các tín hiệu từ trật khớp ren (TED), trật khớp ren (TSD) và trật khớp mặt phẳng cơ bản (BPD). Hệ thống này cũng hỗ trợ phát hiện các lỗi xếp chồng (SF), micropipes (MP), vùi cacbon, khuyết tật dị tinh thể và các loại khuyết tật khác, cho phép đánh giá khuyết tật trên nhiều kích thước tấm bán dẫn nền.
Phân tích mật độ và nhận dạng khuyết tật được AI hỗ trợ, cùng với phân tích khuyết tật do người dùng xác định, cho phép hệ thống tạo ra hình ảnh quang học và bản đồ mật độ khuyết tật đồng thời, phát hiện các đặc điểm khuyết tật và sự phân bố của chúng trên tấm bán dẫn. Thử nghiệm so sánh cho thấy sự phù hợp chặt chẽ với địa hình tia X (XRT) để phát hiện TSD và với phương pháp khắc KOH để phát hiện TED và BPD. Các phép đo lặp lại trên cùng một thiết bị và so sánh giữa các thiết bị cũng cho thấy độ lặp lại và độ tái lập tốt.
hỏi thăm
