SL-9000 adalah sistem inspeksi optik non-destruktif untuk substrat semikonduktor senyawa, yang dirancang terutama untuk indium fosfida (InP), dengan skalabilitas hingga galium arsenida (GaAs). Cocok untuk media konduktif dan semi-isolasi, gambar sistem dan peta dislokasi threading dan cacat kisi lainnya untuk mendukung penilaian kualitas media dan optimalisasi proses.
Dengan menggunakan quenching photoluminescence (PL) yang diinduksi cacat, SL-9000 mengungkap fitur mikroskopis dan distribusi dislokasi spasial melalui variasi intensitas pendaran, tanpa etsa kimia yang merusak. Untuk substrat InP, kedalaman inspeksi kira-kira 1–3 μm di bawah permukaan. Studi perbandingan sampel InP yang didoping sulfur dan doping besi menunjukkan korespondensi yang baik antara dislokasi yang dipetakan secara optik dan hasil inspeksi lubang etsa.
Dilengkapi dengan sistem analisis AI dan kompatibel dengan pemeriksaan medan terang dan gelap, SL-9000 juga mendukung penilaian cacat permukaan, termasuk goresan, partikel, dan kontaminasi. Menggabungkan inspeksi non-destruktif dengan pengukuran yang efisien, ini mendukung penelitian substrat semikonduktor senyawa, manufaktur, dan kontrol kualitas.
Dengan menggunakan quenching photoluminescence (PL) yang diinduksi cacat, SL-9000 mengungkap fitur mikroskopis dan distribusi dislokasi spasial melalui variasi intensitas pendaran, tanpa etsa kimia yang merusak. Untuk substrat InP, kedalaman inspeksi kira-kira 1–3 μm di bawah permukaan. Studi perbandingan sampel InP yang didoping sulfur dan doping besi menunjukkan korespondensi yang baik antara dislokasi yang dipetakan secara optik dan hasil inspeksi lubang etsa.
Dilengkapi dengan sistem analisis AI dan kompatibel dengan pemeriksaan medan terang dan gelap, SL-9000 juga mendukung penilaian cacat permukaan, termasuk goresan, partikel, dan kontaminasi. Menggabungkan inspeksi non-destruktif dengan pengukuran yang efisien, ini mendukung penelitian substrat semikonduktor senyawa, manufaktur, dan kontrol kualitas.
Menanyakan
