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SL-9000 InP/GaAs-Substratfehler-Inspektionssystem
SL-9000 InP/GaAs-Substratfehler-Inspektionssystem
Das SL-9000 ist ein zerstörungsfreies optisches Inspektionssystem für Verbindungshalbleitersubstrate, das hauptsächlich für Indiumphosphid (InP) entwickelt wurde und auf Galliumarsenid (GaAs) skalierbar ist. Das System ist sowohl für leitfähige als auch halbisolierende Substrate geeignet und bildet Fadenversetzungen und andere Gitterdefekte ab und kartiert sie, um die Beurteilung der Substratqualität und die Prozessoptimierung zu unterstützen.

Durch die Löschung defektinduzierter Photolumineszenz (PL) deckt der SL-9000 die mikroskopischen Merkmale und die räumliche Verteilung von Versetzungen durch Variationen der Lumineszenzintensität auf, ohne zerstörerisches chemisches Ätzen. Bei InP-Substraten liegt die Prüftiefe ca. 1–3 μm unter der Oberfläche. Vergleichsstudien an schwefeldotierten und eisendotierten InP-Proben zeigen eine gute Übereinstimmung zwischen optisch kartierten Versetzungen und Ergebnissen der Ätzgrubeninspektion.

Ausgestattet mit einem KI-Analysesystem und kompatibel mit Hellfeld- und Dunkelfeldinspektion unterstützt der SL-9000 auch die Beurteilung von Oberflächenfehlern, einschließlich Kratzern, Partikeln und Verunreinigungen. Durch die Kombination von zerstörungsfreier Inspektion mit effizienter Messung unterstützt es die Forschung, Herstellung und Qualitätskontrolle von Verbindungshalbleitersubstraten.
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Merkmale

01

Zerstörungsfrei

02

Hoher Durchsatz

03

Hochpräzise

Spezifikationen

Materialien InP-Substrate (skalierbar auf GaAs-Substrate)
Wafergrößen 2', 3', 4' und 6'
Inspektionsdurchsatz 4 WPH bei 6 Zoll
Fehlertypen Gewindeversetzungen, Kratzer und andere Mängel

Beispiele

Verteilung der Threading-Versetzungen

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  • Die vollständige Waferkartierung zeigt die globale Defektverteilung.

Threading-Luxation

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  • Mehrere Fehlertypen und Morphologien werden bei der optischen Inspektion erfasst.
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