banner-sản phẩm
Hệ thống kiểm tra khuyết tật bề mặt SL-9000 InP / GaAs
Hệ thống kiểm tra khuyết tật bề mặt SL-9000 InP / GaAs
SL-9000 là hệ thống kiểm tra khuyết tật quang học không phá hủy dành cho chất nền bán dẫn hỗn hợp. Được thiết kế chủ yếu cho chất nền indium phosphide (InP), nó cũng có thể được điều chỉnh để kiểm tra chất nền gallium arsenide (GaAs). Các hình ảnh và bản đồ của hệ thống về các sai lệch trong luồng và các khuyết tật mạng khác ở cả chất nền dẫn điện và bán cách điện, cung cấp dữ liệu để đánh giá chất lượng chất nền và tối ưu hóa quy trình.

SL-9000 có hệ thống phân tích AI và có thể kết hợp thông tin về các khuyết tật bề mặt, bao gồm vết trầy xước, hạt và tạp chất, để đánh giá chất lượng bề mặt. Khả năng kiểm tra không phá hủy, hiệu quả của nó hỗ trợ việc phát triển, sản xuất và kiểm soát chất lượng các chất nền bán dẫn hỗn hợp.
hỏi thăm

Đặc trưng

01

Không phá hủy

02

Thông lượng cao

03

Độ chính xác cao

Thông số kỹ thuật

Nguyên vật liệu Chất nền InP (Doped S/Fe-Doped); Chất nền GaAs (Doped Si)
Kích thước bánh xốp 2', 3', 4' và 6'
Thông lượng kiểm tra 4 WPH @ 6'
Các loại khuyết tật Trật ren, trầy xước và các khuyết tật khác
Bằng cách cung cấp các giải pháp đổi mới, đáng tin cậy và có thể mở rộng, chúng tôi hỗ trợ các ngành đạt được độ chính xác và hiệu quả vượt trội, thúc đẩy tiến bộ trong nghiên cứu và sản xuất trên toàn thế giới.
Bản quyền © 2025 Time Tech Spectra. Mọi quyền được bảo lưu.| Sơ đồ trang web | Chính sách bảo mật