SL-9000 là hệ thống kiểm tra quang học không phá hủy dành cho chất nền bán dẫn hỗn hợp, được thiết kế chủ yếu cho indium phosphide (InP), với khả năng mở rộng thành gallium arsenide (GaAs). Thích hợp cho cả chất nền dẫn điện và bán cách điện, hình ảnh hệ thống và bản đồ các sai lệch ren và các khuyết tật mạng khác để hỗ trợ đánh giá chất lượng chất nền và tối ưu hóa quy trình.
Sử dụng phương pháp dập tắt phát quang do khuyết tật (PL), SL-9000 cho thấy các đặc điểm vi mô và sự phân bố không gian của các sai lệch thông qua sự thay đổi cường độ phát quang mà không bị ăn mòn hóa học. Đối với chất nền InP, độ sâu kiểm tra là khoảng 1–3 μm dưới bề mặt. Các nghiên cứu so sánh trên các mẫu InP pha tạp lưu huỳnh và pha tạp sắt cho thấy sự tương ứng tốt giữa các sai lệch được ánh xạ quang học và kết quả kiểm tra hố ăn mòn.
Được trang bị hệ thống phân tích AI và tương thích với kiểm tra trường sáng và trường tối, SL-9000 cũng hỗ trợ đánh giá các khuyết tật bề mặt, bao gồm vết trầy xước, hạt và nhiễm bẩn. Kết hợp kiểm tra không phá hủy với phép đo hiệu quả, nó hỗ trợ nghiên cứu, sản xuất và kiểm soát chất lượng chất bán dẫn hỗn hợp.
Sử dụng phương pháp dập tắt phát quang do khuyết tật (PL), SL-9000 cho thấy các đặc điểm vi mô và sự phân bố không gian của các sai lệch thông qua sự thay đổi cường độ phát quang mà không bị ăn mòn hóa học. Đối với chất nền InP, độ sâu kiểm tra là khoảng 1–3 μm dưới bề mặt. Các nghiên cứu so sánh trên các mẫu InP pha tạp lưu huỳnh và pha tạp sắt cho thấy sự tương ứng tốt giữa các sai lệch được ánh xạ quang học và kết quả kiểm tra hố ăn mòn.
Được trang bị hệ thống phân tích AI và tương thích với kiểm tra trường sáng và trường tối, SL-9000 cũng hỗ trợ đánh giá các khuyết tật bề mặt, bao gồm vết trầy xước, hạt và nhiễm bẩn. Kết hợp kiểm tra không phá hủy với phép đo hiệu quả, nó hỗ trợ nghiên cứu, sản xuất và kiểm soát chất lượng chất bán dẫn hỗn hợp.
hỏi thăm
