ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิว SL-9000 InP / GaAs

SL-9000 ใช้การดับด้วยแสงโฟโตลูมิเนสเซนซ์ (PL) ที่เกิดจากข้อบกพร่อง โดยเผยให้เห็นคุณสมบัติระดับจุลทรรศน์และการกระจายตัวเชิงพื้นที่ของการเคลื่อนที่ผ่านการเปลี่ยนแปลงของความเข้มของการเรืองแสง โดยไม่มีการกัดเซาะด้วยสารเคมีแบบทำลายล้าง สำหรับซับสเตรต InP ความลึกในการตรวจสอบจะอยู่ใต้พื้นผิวประมาณ 1–3 μm การศึกษาเปรียบเทียบเกี่ยวกับตัวอย่าง InP ที่เจือด้วยซัลเฟอร์และเจือด้วยเหล็ก แสดงให้เห็นความสอดคล้องที่ดีระหว่างความคลาดเคลื่อนที่แมปด้วยแสงกับผลการตรวจสอบหลุมกัดกรด

SL-9000 ติดตั้งมาพร้อมกับระบบการวิเคราะห์ AI และเข้ากันได้กับการตรวจสอบสนามสว่างและสนามมืด ยังสนับสนุนการประเมินข้อบกพร่องที่พื้นผิว รวมถึงรอยขีดข่วน อนุภาค และการปนเปื้อน การผสมผสานการตรวจสอบแบบไม่ทำลายเข้ากับการวัดที่มีประสิทธิภาพ สนับสนุนการวิจัย การผลิต และการควบคุมคุณภาพซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์แบบผสม