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Sistema de inspección de defectos de sustrato SL-9000 InP/GaAs
Sistema de inspección de defectos de sustrato SL-9000 InP/GaAs
El SL-9000 es un sistema de inspección de defectos ópticos no destructivo para sustratos semiconductores compuestos. Diseñado principalmente para sustratos de fosfuro de indio (InP), también se puede adaptar para inspeccionar sustratos de arseniuro de galio (GaAs). El sistema genera imágenes y mapea dislocaciones de roscas y otros defectos de la red en sustratos conductores y semiaislantes, proporcionando datos para la evaluación de la calidad del sustrato y la optimización del proceso.

El SL-9000 cuenta con un sistema de análisis de IA y puede incorporar información sobre defectos de la superficie, incluidos rayones, partículas y contaminación, en las evaluaciones de calidad del sustrato. Sus capacidades de inspección eficientes y no destructivas respaldan el desarrollo, la fabricación y el control de calidad de sustratos semiconductores compuestos.
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Características

01

No destructivo

02

Alto rendimiento

03

Alta precisión

Presupuesto

Materiales sustratos de InP (dopados con S/dopados con Fe); Sustratos de GaAs (dopados con Si)
Tamaños de oblea 2', 3', 4' y 6'
Rendimiento de inspección 4 WPH a 6'
Tipos de defectos Roscado Dislocaciones, Arañazos y Otros Defectos
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