SL-9000 គឺជាប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យអុបទិកដែលមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញសម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម semiconductor ដែលត្រូវបានរចនាឡើងជាចម្បងសម្រាប់ indium phosphide (InP) ជាមួយនឹងលទ្ធភាពធ្វើមាត្រដ្ឋានទៅ gallium arsenide (GaAs) ។ ស័ក្តិសមសម្រាប់ទាំងស្រទាប់ខាងក្រោមដែលមានចរន្ត និងពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ រូបភាពប្រព័ន្ធ និងផែនទីការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់ខ្សែស្រឡាយ និងពិការភាពបន្ទះឈើផ្សេងទៀត ដើម្បីគាំទ្រការវាយតម្លៃគុណភាពស្រទាប់ខាងក្រោម និងការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការ។
ដោយប្រើការពន្លត់ photoluminescence (PL) ដែលបណ្ដាលមកពីបញ្ហា SL-9000 បង្ហាញលក្ខណៈមីក្រូទស្សន៍ និងការចែកចាយលំហនៃការផ្លាស់ប្តូរទីតាំងតាមរយៈការប្រែប្រួលនៃអាំងតង់ស៊ីតេនៃពន្លឺ ដោយមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញសារធាតុគីមី។ សម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម InP ជម្រៅត្រួតពិនិត្យគឺប្រហែល 1-3 μm ខាងក្រោមផ្ទៃ។ ការសិក្សាប្រៀបធៀបលើសំណាក InP ដែលមានសារធាតុស្ពាន់ធ័រ និងជាតិដែក បង្ហាញពីការឆ្លើយឆ្លងដ៏ល្អរវាងការផ្លាស់ទីលំនៅដែលបានគូសផែនទីអុបទិក និងលទ្ធផលត្រួតពិនិត្យអណ្តូងរ៉ែ។
បំពាក់ដោយប្រព័ន្ធវិភាគ AI និងត្រូវគ្នាជាមួយការត្រួតពិនិត្យវាលភ្លឺ និងទីងងឹត SL-9000 ក៏គាំទ្រការវាយតម្លៃនៃពិការភាពលើផ្ទៃ រួមទាំងកោស ភាគល្អិត និងការចម្លងរោគ។ រួមបញ្ចូលគ្នានូវការត្រួតពិនិត្យដែលមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញជាមួយនឹងការវាស់វែងប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព វាគាំទ្រការស្រាវជ្រាវលើស្រទាប់ខាងក្រោម semiconductor ការផលិត និងការត្រួតពិនិត្យគុណភាព។
ដោយប្រើការពន្លត់ photoluminescence (PL) ដែលបណ្ដាលមកពីបញ្ហា SL-9000 បង្ហាញលក្ខណៈមីក្រូទស្សន៍ និងការចែកចាយលំហនៃការផ្លាស់ប្តូរទីតាំងតាមរយៈការប្រែប្រួលនៃអាំងតង់ស៊ីតេនៃពន្លឺ ដោយមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញសារធាតុគីមី។ សម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោម InP ជម្រៅត្រួតពិនិត្យគឺប្រហែល 1-3 μm ខាងក្រោមផ្ទៃ។ ការសិក្សាប្រៀបធៀបលើសំណាក InP ដែលមានសារធាតុស្ពាន់ធ័រ និងជាតិដែក បង្ហាញពីការឆ្លើយឆ្លងដ៏ល្អរវាងការផ្លាស់ទីលំនៅដែលបានគូសផែនទីអុបទិក និងលទ្ធផលត្រួតពិនិត្យអណ្តូងរ៉ែ។
បំពាក់ដោយប្រព័ន្ធវិភាគ AI និងត្រូវគ្នាជាមួយការត្រួតពិនិត្យវាលភ្លឺ និងទីងងឹត SL-9000 ក៏គាំទ្រការវាយតម្លៃនៃពិការភាពលើផ្ទៃ រួមទាំងកោស ភាគល្អិត និងការចម្លងរោគ។ រួមបញ្ចូលគ្នានូវការត្រួតពិនិត្យដែលមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញជាមួយនឹងការវាស់វែងប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព វាគាំទ្រការស្រាវជ្រាវលើស្រទាប់ខាងក្រោម semiconductor ការផលិត និងការត្រួតពិនិត្យគុណភាព។
សាកសួរ
