sepanduk produk
SR-9000 Alat Pemeriksaan Kecacatan Epi-lapisan Optik Optik SiC yang tidak merosakkan
SR-9000 Alat Pemeriksaan Kecacatan Epi-lapisan Optik Optik SiC yang tidak merosakkan
Sistem Pemeriksaan Kecacatan Lapisan Epitaxial Optik SR-9000 Tidak Memusnahkan mengenal pasti, mengesan, dan kehelan imej dan kecacatan lain dalam wafer epitaxial SiC dan sepanjang fabrikasi peranti. Ia menyediakan data pemeriksaan untuk penilaian kualiti bahan, pengoptimuman proses dan pengesanan kecacatan.

Sistem ini mencapai resolusi spatial 0.5 μm dan menyokong pemetaan kecacatan wafer penuh. Kecacatan yang boleh dikesan termasuk kehelan skru benang (TSD), kehelan tepi benang (TED), kehelan satah basal (BPD), kerosakan susun (SF), kecacatan segi tiga dan kecacatan lobak merah. Ia memuatkan wafer 6-, 8-, dan 12-inci, dengan daya pemprosesan pemeriksaan masing-masing 4, 2, dan 1 wafer sejam.

Sistem ini menyokong pemeriksaan wafer epitaxial SiC, wafer peranti bercorak, wafer implan ion, dan wafer dan peranti SiC selepas penyingkiran lapisan logam. Ia membolehkan pemeriksaan kehelan pada peringkat pembuatan utama, termasuk lapisan epitaxial, selepas pembentukan oksida gerbang, dan sebelum penyejatan logam atas. Dengan menggabungkan pengimejan resolusi spatial tinggi dengan penyahkonvolusian corak, ia mengesan kehelan di bawah struktur bercorak dan membantu mengesan evolusi kecacatan daripada substrat melalui lapisan epitaxial ke peranti, menyediakan data pemeriksaan yang boleh dikesan untuk menyiasat asal kecacatan dan menyokong peningkatan hasil.
Tanya

Ciri-ciri

01

Tidak merosakkan

02

Daya pengeluaran tinggi

03

Resolusi spatial tinggi: 0.5 μm

Spesifikasi

Throughput Pemeriksaan4 wafer/j (6'); 2 wafer/j (8'); 1 wafer/j (12')
BahanWafer epitaxial SiC, wafer SiC bercorak (peranti), wafer SiC yang ditanam ion, dan wafer/peranti SiC selepas pelucutan lapisan logam
Saiz Wafer6', 8' dan 12'
Jenis KecacatanTSD, TED, BPD, SF, SSF, BSF, Triangle, Kecacatan Lobak Merah, dsb.
Resolusi Spatial0.5 μm

Contoh Kes

Pemeriksaan Kecacatan Dislokasi dalam Lapisan Epitaxial

1. Pemetaan Kecacatan Wafer Penuh

Pemetaan Kecacatan Wafer Penuh

Sistem SR-9000 menyokong pengecaman kecacatan dan pengimejan TSD dan TED dalam wafer epitaxial SiC, membantu pengeluar mengesan kedudukan kecacatan dan membezakan jenis kecacatan dengan tepat.

2. Pengesahan Penanda Aras Terhadap XRT

Pengesahan Penanda Aras Terhadap XRT

Hasil pengesanan daripada sistem SR-9000 adalah dalam persetujuan yang baik dengan keputusan XRT, menunjukkan bahawa sistem itu membolehkan pengenalpastian, pembezaan dan penyetempatan TSD yang tepat dalam lapisan epitaxial SiC dan struktur peranti.

Pemeriksaan Kecacatan Dislokasi selepas Pembentukan Gate Oksida

Pemeriksaan Kecacatan Dislokasi selepas Pembentukan Gate Oksida

Resolusi Spatial yang Lebih Tinggi

Resolusi Spatial yang Lebih Tinggi

Dislokasi di dalam cip adalah banyak dan menjejaskan kestabilan jangka panjang, tetapi pengeluar kekurangan data ini. SR-9000 membantu menangani perkara ini dengan menyetempatkannya dengan tepat di bawah struktur bercorak melalui pengimejan resolusi spatial tinggi dan penyahkonvolusian corak.

Mengesan Peralihan Kecacatan daripada Substrat kepada Epi-Lapisan dan Peranti

Kebolehkesanan Kecacatan daripada Substrat kepada Lapisan Epi dan Peranti

Pemeriksaan kecacatan rantai penuh meliputi substrat, lapisan epitaxial, dan proses pembuatan peranti, dengan tepat menunjukkan punca kecacatan pada langkah proses kritikal dan menyediakan data kecacatan kehelan yang boleh dikesan untuk menyokong peningkatan hasil.

Dengan menyampaikan penyelesaian yang inovatif, boleh dipercayai dan berskala, kami memperkasakan industri untuk mencapai ketepatan dan kecekapan yang tiada tandingan, memacu kemajuan dalam penyelidikan dan pembuatan di seluruh dunia.
Hak Cipta © 2025 Time Tech Spectra. Hak Cipta Terpelihara.| Peta laman | Dasar Privasi