Sistem Inspeksi Cacat Lapisan Epitaksi SiC Optik Non-destruktif SR-9000 mengidentifikasi, menemukan lokasi, dan menggambarkan dislokasi serta cacat lainnya pada wafer epitaksi SiC dan di seluruh fabrikasi perangkat. Ini menyediakan data inspeksi untuk penilaian kualitas material, optimalisasi proses, dan penelusuran cacat.
Sistem ini mencapai resolusi spasial 0,5 μm dan mendukung pemetaan cacat wafer penuh. Cacat yang dapat dideteksi meliputi dislokasi ulir ulir (TSD), dislokasi tepi ulir (TED), dislokasi bidang dasar (BPD), kesalahan susun (SF), cacat segitiga, dan cacat wortel. Ini mengakomodasi wafer 6, 8, dan 12 inci, dengan hasil inspeksi masing-masing 4, 2, dan 1 wafer per jam.
Sistem ini mendukung pemeriksaan wafer epitaksi SiC, wafer perangkat berpola, wafer yang ditanamkan ion, serta wafer dan perangkat SiC setelah pelepasan lapisan logam. Hal ini memungkinkan inspeksi dislokasi pada tahapan manufaktur utama, termasuk lapisan epitaksial, setelah pembentukan oksida gerbang, dan sebelum penguapan logam bagian atas. Dengan menggabungkan pencitraan resolusi spasial tinggi dengan dekonvolusi pola, teknologi ini menemukan lokasi dislokasi di bawah struktur berpola dan membantu melacak evolusi cacat dari substrat melalui lapisan epitaksi ke perangkat, sehingga menyediakan data inspeksi yang dapat dilacak untuk menyelidiki asal usul cacat dan mendukung peningkatan hasil.
Sistem ini mencapai resolusi spasial 0,5 μm dan mendukung pemetaan cacat wafer penuh. Cacat yang dapat dideteksi meliputi dislokasi ulir ulir (TSD), dislokasi tepi ulir (TED), dislokasi bidang dasar (BPD), kesalahan susun (SF), cacat segitiga, dan cacat wortel. Ini mengakomodasi wafer 6, 8, dan 12 inci, dengan hasil inspeksi masing-masing 4, 2, dan 1 wafer per jam.
Sistem ini mendukung pemeriksaan wafer epitaksi SiC, wafer perangkat berpola, wafer yang ditanamkan ion, serta wafer dan perangkat SiC setelah pelepasan lapisan logam. Hal ini memungkinkan inspeksi dislokasi pada tahapan manufaktur utama, termasuk lapisan epitaksial, setelah pembentukan oksida gerbang, dan sebelum penguapan logam bagian atas. Dengan menggabungkan pencitraan resolusi spasial tinggi dengan dekonvolusi pola, teknologi ini menemukan lokasi dislokasi di bawah struktur berpola dan membantu melacak evolusi cacat dari substrat melalui lapisan epitaksi ke perangkat, sehingga menyediakan data inspeksi yang dapat dilacak untuk menyelidiki asal usul cacat dan mendukung peningkatan hasil.
Menanyakan
