
ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องเลเยอร์ Epitaxis แบบออปติคอล SR-9000 แบบไม่ทำลาย จะระบุ ตำแหน่ง และการเคลื่อนที่ของรูปภาพและข้อบกพร่องอื่นๆ ในเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียลและตลอดการผลิตอุปกรณ์ โดยให้ข้อมูลการตรวจสอบสำหรับการประเมินคุณภาพวัสดุ การเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ และการติดตามข้อบกพร่อง
ระบบบรรลุความละเอียดเชิงพื้นที่ 0.5 μm และรองรับการทำแผนที่ข้อบกพร่องแบบเต็มเวเฟอร์ ข้อบกพร่องที่ตรวจพบได้ ได้แก่ การเคลื่อนของสกรูเกลียว (TSD) การเคลื่อนของขอบเกลียว (TED) การเคลื่อนของระนาบฐาน (BPD) ข้อบกพร่องในการซ้อน (SF) ข้อบกพร่องรูปสามเหลี่ยม และข้อบกพร่องของแครอท รองรับเวเฟอร์ขนาด 6, 8 และ 12 นิ้ว โดยมีปริมาณการตรวจสอบ 4, 2 และ 1 เวเฟอร์ต่อชั่วโมง ตามลำดับ
ระบบรองรับการตรวจสอบเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียล เวเฟอร์อุปกรณ์ที่มีลวดลาย เวเฟอร์ที่ฝังไอออน และเวเฟอร์ SiC และอุปกรณ์หลังจากการถอดชั้นโลหะออก ช่วยให้สามารถตรวจสอบความคลาดเคลื่อนในขั้นตอนการผลิตที่สำคัญ รวมถึงชั้นเอพิแทกเซียล หลังการเกิดเกตออกไซด์ และก่อนการระเหยของโลหะด้านบน ด้วยการรวมการถ่ายภาพความละเอียดสูงเชิงพื้นที่เข้ากับการแยกส่วนรูปแบบ ทำให้สามารถระบุตำแหน่งความคลาดเคลื่อนใต้โครงสร้างที่มีลวดลาย และช่วยติดตามวิวัฒนาการของข้อบกพร่องจากซับสเตรตผ่านชั้นเอพิแทกเซียลไปยังอุปกรณ์ โดยให้ข้อมูลการตรวจสอบที่สามารถตรวจสอบย้อนกลับได้เพื่อตรวจสอบต้นกำเนิดของข้อบกพร่องและสนับสนุนการปรับปรุงผลผลิต
ระบบบรรลุความละเอียดเชิงพื้นที่ 0.5 μm และรองรับการทำแผนที่ข้อบกพร่องแบบเต็มเวเฟอร์ ข้อบกพร่องที่ตรวจพบได้ ได้แก่ การเคลื่อนของสกรูเกลียว (TSD) การเคลื่อนของขอบเกลียว (TED) การเคลื่อนของระนาบฐาน (BPD) ข้อบกพร่องในการซ้อน (SF) ข้อบกพร่องรูปสามเหลี่ยม และข้อบกพร่องของแครอท รองรับเวเฟอร์ขนาด 6, 8 และ 12 นิ้ว โดยมีปริมาณการตรวจสอบ 4, 2 และ 1 เวเฟอร์ต่อชั่วโมง ตามลำดับ
ระบบรองรับการตรวจสอบเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียล เวเฟอร์อุปกรณ์ที่มีลวดลาย เวเฟอร์ที่ฝังไอออน และเวเฟอร์ SiC และอุปกรณ์หลังจากการถอดชั้นโลหะออก ช่วยให้สามารถตรวจสอบความคลาดเคลื่อนในขั้นตอนการผลิตที่สำคัญ รวมถึงชั้นเอพิแทกเซียล หลังการเกิดเกตออกไซด์ และก่อนการระเหยของโลหะด้านบน ด้วยการรวมการถ่ายภาพความละเอียดสูงเชิงพื้นที่เข้ากับการแยกส่วนรูปแบบ ทำให้สามารถระบุตำแหน่งความคลาดเคลื่อนใต้โครงสร้างที่มีลวดลาย และช่วยติดตามวิวัฒนาการของข้อบกพร่องจากซับสเตรตผ่านชั้นเอพิแทกเซียลไปยังอุปกรณ์ โดยให้ข้อมูลการตรวจสอบที่สามารถตรวจสอบย้อนกลับได้เพื่อตรวจสอบต้นกำเนิดของข้อบกพร่องและสนับสนุนการปรับปรุงผลผลิต
สอบถาม




