สินค้า-แบนเนอร์
SR-9000 เครื่องมือตรวจสอบข้อบกพร่องออปติคัล SiC Epi-layer แบบไม่ทำลาย
SR-9000 เครื่องมือตรวจสอบข้อบกพร่องออปติคัล SiC Epi-layer แบบไม่ทำลาย
ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องเลเยอร์ Epitaxis แบบออปติคอล SR-9000 แบบไม่ทำลาย จะระบุ ตำแหน่ง และการเคลื่อนที่ของรูปภาพและข้อบกพร่องอื่นๆ ในเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียลและตลอดการผลิตอุปกรณ์ โดยให้ข้อมูลการตรวจสอบสำหรับการประเมินคุณภาพวัสดุ การเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ และการติดตามข้อบกพร่อง

ระบบบรรลุความละเอียดเชิงพื้นที่ 0.5 μm และรองรับการทำแผนที่ข้อบกพร่องแบบเต็มเวเฟอร์ ข้อบกพร่องที่ตรวจพบได้ ได้แก่ การเคลื่อนของสกรูเกลียว (TSD) การเคลื่อนของขอบเกลียว (TED) การเคลื่อนของระนาบฐาน (BPD) ข้อบกพร่องในการซ้อน (SF) ข้อบกพร่องรูปสามเหลี่ยม และข้อบกพร่องของแครอท รองรับเวเฟอร์ขนาด 6, 8 และ 12 นิ้ว โดยมีปริมาณการตรวจสอบ 4, 2 และ 1 เวเฟอร์ต่อชั่วโมง ตามลำดับ

ระบบรองรับการตรวจสอบเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียล เวเฟอร์อุปกรณ์ที่มีลวดลาย เวเฟอร์ที่ฝังไอออน และเวเฟอร์ SiC และอุปกรณ์หลังจากการถอดชั้นโลหะออก ช่วยให้สามารถตรวจสอบความคลาดเคลื่อนในขั้นตอนการผลิตที่สำคัญ รวมถึงชั้นเอพิแทกเซียล หลังการเกิดเกตออกไซด์ และก่อนการระเหยของโลหะด้านบน ด้วยการรวมการถ่ายภาพความละเอียดสูงเชิงพื้นที่เข้ากับการแยกส่วนรูปแบบ ทำให้สามารถระบุตำแหน่งความคลาดเคลื่อนใต้โครงสร้างที่มีลวดลาย และช่วยติดตามวิวัฒนาการของข้อบกพร่องจากซับสเตรตผ่านชั้นเอพิแทกเซียลไปยังอุปกรณ์ โดยให้ข้อมูลการตรวจสอบที่สามารถตรวจสอบย้อนกลับได้เพื่อตรวจสอบต้นกำเนิดของข้อบกพร่องและสนับสนุนการปรับปรุงผลผลิต
สอบถาม

คุณสมบัติ

01

ไม่ทำลาย

02

ปริมาณงานสูง

03

ความละเอียดเชิงพื้นที่สูง: 0.5 μm

ข้อมูลจำเพาะ

ปริมาณงานการตรวจสอบ4 เวเฟอร์/ชม. (6'); 2 เวเฟอร์/ชม. (8'); 1 เวเฟอร์/ชม. (12')
วัสดุเวเฟอร์ SiC เอปิแอกเชียล, เวเฟอร์ SiC ที่มีลวดลาย (อุปกรณ์), เวเฟอร์ SiC ที่ฝังไอออน และเวเฟอร์/อุปกรณ์ SiC หลังจากการปอกชั้นโลหะ
ขนาดเวเฟอร์6', 8' และ 12'
ประเภทข้อบกพร่องTSD, TED, BPD, SF, SSF, BSF, สามเหลี่ยม, ข้อบกพร่องของแครอท ฯลฯ
ความละเอียดเชิงพื้นที่0.5 ไมโครเมตร

ตัวอย่างกรณี

การตรวจสอบข้อบกพร่องความคลาดเคลื่อนในชั้นอีปิแอกเชียล

1. การทำแผนที่ข้อบกพร่องเวเฟอร์แบบเต็ม

การทำแผนที่ข้อบกพร่องเวเฟอร์แบบเต็ม

ระบบ SR-9000 รองรับการระบุข้อบกพร่องและการสร้างภาพ TSD และ TED ในเวเฟอร์ SiC เอพิแทกเซียล ช่วยให้ผู้ผลิตระบุตำแหน่งของข้อบกพร่องได้อย่างแม่นยำและแยกแยะประเภทข้อบกพร่องได้

2. การตรวจสอบมาตรฐานเทียบกับ XRT

การตรวจสอบมาตรฐานเทียบกับ XRT

ผลลัพธ์การตรวจจับจากระบบ SR-9000 สอดคล้องกับผลลัพธ์ XRT ซึ่งแสดงให้เห็นว่าระบบสามารถระบุตำแหน่ง การสร้างความแตกต่าง และการแปลตำแหน่ง TSD ในชั้นเอพิแทกเซียลและโครงสร้างอุปกรณ์ของ SiC ได้อย่างแม่นยำ

การตรวจสอบข้อบกพร่องการเคลื่อนที่หลังการเกิดเกตออกไซด์

การตรวจสอบข้อบกพร่องการเคลื่อนที่หลังการเกิดเกตออกไซด์

ความละเอียดเชิงพื้นที่ที่สูงขึ้น

ความละเอียดเชิงพื้นที่ที่สูงขึ้น

การเคลื่อนตัวภายในชิปมีจำนวนมากและส่งผลต่อความเสถียรในระยะยาว แต่ผู้ผลิตยังขาดข้อมูลนี้ SR-9000 ช่วยแก้ไขปัญหานี้ด้วยการระบุตำแหน่งอย่างแม่นยำภายใต้โครงสร้างที่มีลวดลายผ่านการสร้างภาพที่มีความละเอียดสูงและการแยกส่วนรูปแบบ

ติดตามการเปลี่ยนแปลงของข้อบกพร่องจากพื้นผิวไปเป็นชั้น Epi และอุปกรณ์

การตรวจสอบย้อนกลับข้อบกพร่องตั้งแต่พื้นผิวไปจนถึงชั้น Epi และอุปกรณ์

การตรวจสอบข้อบกพร่องทั้งสายครอบคลุมซับสเตรต ชั้นเอพิแทกเซียล และกระบวนการผลิตอุปกรณ์ ระบุจุดกำเนิดของข้อบกพร่องได้อย่างแม่นยำในขั้นตอนกระบวนการที่สำคัญ และให้ข้อมูลข้อบกพร่องของการเคลื่อนที่ที่ตรวจสอบย้อนกลับได้ เพื่อรองรับการปรับปรุงผลผลิต

ด้วยการนำเสนอโซลูชันที่เป็นนวัตกรรม เชื่อถือได้ และปรับขนาดได้ เราช่วยให้อุตสาหกรรมต่างๆ บรรลุความแม่นยำและประสิทธิภาพที่ไม่มีใครเทียบได้ ขับเคลื่อนความก้าวหน้าในการวิจัยและการผลิตทั่วโลก
ลิขสิทธิ์ © 2025 ไทม์ เทค สเปกตรัม สงวนลิขสิทธิ์.| แผนผังเว็บไซต์ | นโยบายความเป็นส่วนตัว