El sistema de inspección de defectos de la capa epitaxial de SiC óptico no destructivo SR-9000 identifica, localiza y obtiene imágenes de dislocaciones y otros defectos en las obleas epitaxiales de SiC y durante toda la fabricación del dispositivo. Proporciona datos de inspección para la evaluación de la calidad del material, la optimización de procesos y el seguimiento de defectos.
El sistema alcanza una resolución espacial de 0,5 μm y admite el mapeo de defectos de oblea completa. Los defectos detectables incluyen dislocaciones del tornillo de roscado (TSD), dislocaciones del borde de roscado (TED), dislocaciones del plano basal (BPD), fallas de apilamiento (SF), defectos triangulares y defectos de zanahoria. Tiene capacidad para obleas de 6, 8 y 12 pulgadas, con rendimientos de inspección de 4, 2 y 1 oblea por hora, respectivamente.
El sistema admite la inspección de obleas epitaxiales de SiC, obleas de dispositivos con patrones, obleas implantadas con iones y obleas y dispositivos de SiC después de la eliminación de la capa metálica. Permite la inspección de dislocaciones en etapas clave de fabricación, incluida la capa epitaxial, después de la formación de óxido de puerta y antes de la evaporación del metal superior. Al combinar imágenes de alta resolución espacial con deconvolución de patrones, localiza dislocaciones debajo de estructuras estampadas y ayuda a rastrear la evolución de los defectos desde los sustratos a través de capas epitaxiales hasta los dispositivos, proporcionando datos de inspección rastreables para investigar los orígenes de los defectos y respaldar la mejora del rendimiento.
El sistema alcanza una resolución espacial de 0,5 μm y admite el mapeo de defectos de oblea completa. Los defectos detectables incluyen dislocaciones del tornillo de roscado (TSD), dislocaciones del borde de roscado (TED), dislocaciones del plano basal (BPD), fallas de apilamiento (SF), defectos triangulares y defectos de zanahoria. Tiene capacidad para obleas de 6, 8 y 12 pulgadas, con rendimientos de inspección de 4, 2 y 1 oblea por hora, respectivamente.
El sistema admite la inspección de obleas epitaxiales de SiC, obleas de dispositivos con patrones, obleas implantadas con iones y obleas y dispositivos de SiC después de la eliminación de la capa metálica. Permite la inspección de dislocaciones en etapas clave de fabricación, incluida la capa epitaxial, después de la formación de óxido de puerta y antes de la evaporación del metal superior. Al combinar imágenes de alta resolución espacial con deconvolución de patrones, localiza dislocaciones debajo de estructuras estampadas y ayuda a rastrear la evolución de los defectos desde los sustratos a través de capas epitaxiales hasta los dispositivos, proporcionando datos de inspección rastreables para investigar los orígenes de los defectos y respaldar la mejora del rendimiento.
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