O sistema óptico não destrutivo de inspeção de defeitos da camada epitaxial de SiC SR-9000 identifica, localiza e gera imagens de deslocamentos e outros defeitos em wafers epitaxiais de SiC e durante a fabricação do dispositivo. Ele fornece dados de inspeção para avaliação da qualidade do material, otimização de processos e rastreamento de defeitos.
O sistema atinge uma resolução espacial de 0,5 μm e suporta mapeamento completo de defeitos de wafer. Os defeitos detectáveis incluem luxações de parafuso de rosqueamento (TSDs), luxações de borda de rosqueamento (TEDs), luxações do plano basal (BPDs), falhas de empilhamento (SFs), defeitos triangulares e defeitos cenoura. Ele acomoda wafers de 6, 8 e 12 polegadas, com produtividade de inspeção de 4, 2 e 1 wafer por hora, respectivamente.
O sistema suporta a inspeção de wafers epitaxiais de SiC, wafers de dispositivos padronizados, wafers implantados com íons e wafers e dispositivos de SiC após a remoção da camada de metal. Ele permite a inspeção de deslocamentos nos principais estágios de fabricação, incluindo a camada epitaxial, após a formação do óxido de portão e antes da evaporação do metal superior. Ao combinar imagens de alta resolução espacial com desconvolução de padrões, ele localiza deslocamentos sob estruturas padronizadas e ajuda a rastrear a evolução dos defeitos desde os substratos, passando pelas camadas epitaxiais até os dispositivos, fornecendo dados de inspeção rastreáveis para investigar as origens dos defeitos e apoiar a melhoria do rendimento.
O sistema atinge uma resolução espacial de 0,5 μm e suporta mapeamento completo de defeitos de wafer. Os defeitos detectáveis incluem luxações de parafuso de rosqueamento (TSDs), luxações de borda de rosqueamento (TEDs), luxações do plano basal (BPDs), falhas de empilhamento (SFs), defeitos triangulares e defeitos cenoura. Ele acomoda wafers de 6, 8 e 12 polegadas, com produtividade de inspeção de 4, 2 e 1 wafer por hora, respectivamente.
O sistema suporta a inspeção de wafers epitaxiais de SiC, wafers de dispositivos padronizados, wafers implantados com íons e wafers e dispositivos de SiC após a remoção da camada de metal. Ele permite a inspeção de deslocamentos nos principais estágios de fabricação, incluindo a camada epitaxial, após a formação do óxido de portão e antes da evaporação do metal superior. Ao combinar imagens de alta resolução espacial com desconvolução de padrões, ele localiza deslocamentos sob estruturas padronizadas e ajuda a rastrear a evolução dos defeitos desde os substratos, passando pelas camadas epitaxiais até os dispositivos, fornecendo dados de inspeção rastreáveis para investigar as origens dos defeitos e apoiar a melhoria do rendimento.
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