SR-9000 비파괴 광학 SiC 에피택셜 층 결함 검사 시스템은 SiC 에피택셜 웨이퍼 및 장치 제조 전반에 걸쳐 전위 및 기타 결함을 식별하고 위치를 파악하며 이미지화합니다. 재료 품질 평가, 공정 최적화 및 결함 추적을 위한 검사 데이터를 제공합니다.
이 시스템은 0.5μm의 공간 분해능을 달성하고 전체 웨이퍼 결함 매핑을 지원합니다. 감지 가능한 결함에는 나사산 나사 전위(TSD), 나사산 가장자리 전위(TED), 기저면 전위(BPD), 적층 결함(SF), 삼각형 결함 및 당근 결함이 포함됩니다. 6인치, 8인치, 12인치 웨이퍼를 수용하며 시간당 각각 4, 2, 1개의 웨이퍼를 검사할 수 있습니다.
이 시스템은 SiC 에피택셜 웨이퍼, 패턴화된 디바이스 웨이퍼, 이온 주입 웨이퍼, SiC 웨이퍼 및 금속층 제거 후 디바이스의 검사를 지원합니다. 이를 통해 에피택셜 층을 포함한 주요 제조 단계, 게이트 산화물 형성 후, 상부 금속 증발 전의 전위 검사가 가능합니다. 높은 공간 해상도 이미징과 패턴 디콘볼루션을 결합하여 패턴 구조 아래 전위를 찾아 기판에서 에피택셜 레이어를 거쳐 장치까지 결함 진화를 추적하는 데 도움을 주며 추적 가능한 검사 데이터를 제공하여 결함 원인을 조사하고 수율 개선을 지원합니다.
이 시스템은 0.5μm의 공간 분해능을 달성하고 전체 웨이퍼 결함 매핑을 지원합니다. 감지 가능한 결함에는 나사산 나사 전위(TSD), 나사산 가장자리 전위(TED), 기저면 전위(BPD), 적층 결함(SF), 삼각형 결함 및 당근 결함이 포함됩니다. 6인치, 8인치, 12인치 웨이퍼를 수용하며 시간당 각각 4, 2, 1개의 웨이퍼를 검사할 수 있습니다.
이 시스템은 SiC 에피택셜 웨이퍼, 패턴화된 디바이스 웨이퍼, 이온 주입 웨이퍼, SiC 웨이퍼 및 금속층 제거 후 디바이스의 검사를 지원합니다. 이를 통해 에피택셜 층을 포함한 주요 제조 단계, 게이트 산화물 형성 후, 상부 금속 증발 전의 전위 검사가 가능합니다. 높은 공간 해상도 이미징과 패턴 디콘볼루션을 결합하여 패턴 구조 아래 전위를 찾아 기판에서 에피택셜 레이어를 거쳐 장치까지 결함 진화를 추적하는 데 도움을 주며 추적 가능한 검사 데이터를 제공하여 결함 원인을 조사하고 수율 개선을 지원합니다.
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