SR-9000 ឧបករណ៍ត្រួតពិនិត្យពិការភាព SiC Epi-layer ដែលមិនមានបំផ្លិចបំផ្លាញ

SR-9000 ប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យពិការភាពស្រទាប់ Epitaxial ស្រទាប់អុបទិក SR-9000 កំណត់ កំណត់ទីតាំង និងការផ្លាស់ទីលំនៅរូបភាព និងពិការភាពផ្សេងទៀតនៅក្នុង SiC epitaxial wafers និងទូទាំងការផលិតឧបករណ៍។ វាផ្តល់នូវទិន្នន័យអធិការកិច្ចសម្រាប់ការវាយតម្លៃគុណភាពសម្ភារៈ ការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការ និងការតាមដានពិការភាព។

ប្រព័ន្ធសម្រេចបាននូវដំណោះស្រាយទំហំ 0.5 μm និងគាំទ្រការគូសផែនទីពិការភាពពេញលេញ។ ពិការភាពដែលអាចរកឃើញរួមមានការផ្លាស់ទីលំនៅវីស (TSDs) ការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់គែមខ្សែស្រឡាយ (TEDs) ការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់យន្តហោះមូលដ្ឋាន (BPDs) កំហុសជង់ (SFs) ពិការភាពត្រីកោណ និងពិការភាពការ៉ុត។ វាផ្ទុក wafers 6-, 8-, និង 12-inch ជាមួយនឹងការត្រួតពិនិត្យឆ្លងកាត់ 4, 2 និង 1 wafer ក្នុងមួយម៉ោងរៀងគ្នា។

ប្រព័ន្ធនេះគាំទ្រការត្រួតពិនិត្យ SiC epitaxial wafers, wafers ឧបករណ៍លំនាំ, wafers-implanted ion, និង SiC wafers និងឧបករណ៍បន្ទាប់ពីការយកចេញស្រទាប់ដែក។ វាអនុញ្ញាតឱ្យមានការត្រួតពិនិត្យការផ្លាស់ទីលំនៅនៅដំណាក់កាលផលិតសំខាន់ៗ រួមទាំងស្រទាប់អេពីតាស៊ីល បន្ទាប់ពីការបង្កើតអុកស៊ីដទ្វារ និងមុនពេលហួតលោហៈធាតុកំពូល។ ដោយរួមបញ្ចូលគ្នានូវរូបភាពដែលមានគុណភាពបង្ហាញទំហំខ្ពស់ជាមួយនឹងការ deconvolution លំនាំ វាកំណត់ទីតាំងការផ្លាស់ទីលំនៅនៅក្រោមរចនាសម្ព័ន្ធដែលមានលំនាំ និងជួយតាមដានការវិវត្តនៃពិការភាពពីស្រទាប់ខាងក្រោមតាមរយៈស្រទាប់ epitaxial ទៅកាន់ឧបករណ៍ ដោយផ្តល់នូវទិន្នន័យត្រួតពិនិត្យដែលអាចតាមដានបានដើម្បីស៊ើបអង្កេតប្រភពដើមនៃពិការភាព និងគាំទ្រការកែលម្អទិន្នផល។

សាកសួរ

លក្ខណៈពិសេស

មិនបំផ្លិចបំផ្លាញ

ទិន្នផលខ្ពស់។

គុណភាពបង្ហាញខ្ពស់: 0.5 μm

ករណីឧទាហរណ៍

ការត្រួតពិនិត្យពិការភាព Dislocation នៅក្នុងស្រទាប់ Epitaxial

1. ការគូសផែនទីខូច Wafer ពេញលេញ

ប្រព័ន្ធ SR-9000 គាំទ្រការកំណត់អត្តសញ្ញាណពិការភាព និងរូបភាពនៃ TSDs និង TEDs នៅក្នុង SiC epitaxial wafers ជួយអ្នកផលិតកំណត់ទីតាំងពិការភាពយ៉ាងជាក់លាក់ និងបែងចែកប្រភេទពិការភាព។

2. សុពលភាព Benchmark ប្រឆាំងនឹង XRT

លទ្ធផលនៃការរាវរកពីប្រព័ន្ធ SR-9000 គឺស្ថិតក្នុងការព្រមព្រៀងគ្នាដ៏ល្អជាមួយលទ្ធផល XRT ដែលបង្ហាញថាប្រព័ន្ធអនុញ្ញាតឱ្យកំណត់អត្តសញ្ញាណត្រឹមត្រូវ ភាពខុសគ្នា និងការធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្មនៃ TSDs នៅក្នុងស្រទាប់ SiC epitaxial និងរចនាសម្ព័ន្ធឧបករណ៍។

Dislocation Defect Inspection បន្ទាប់ពីការបង្កើត Oxide Gate

ដំណោះស្រាយវិសាលភាពខ្ពស់ជាង

ការបែកខ្ញែកនៅក្នុងបន្ទះឈីបមានច្រើន និងប៉ះពាល់ដល់ស្ថេរភាពរយៈពេលវែង ប៉ុន្តែអ្នកផលិតខ្វះទិន្នន័យនេះ។ SR-9000 ជួយដោះស្រាយបញ្ហានេះដោយធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្មពួកវាយ៉ាងជាក់លាក់នៅក្រោមរចនាសម្ព័ន្ធដែលមានលំនាំតាមរយៈរូបភាពដែលមានដំណោះស្រាយខ្ពស់ និងការផ្លាស់ប្តូរលំនាំ។

តាមដានការផ្លាស់ប្តូរនៃពិការភាពពីស្រទាប់ខាងក្រោមទៅជា Epi-Layers និងឧបករណ៍

Defect Traceability ពីស្រទាប់ខាងក្រោមទៅ Epi-Layers និងឧបករណ៍

ការត្រួតពិនិត្យពិការភាពខ្សែសង្វាក់ពេញលេញគ្របដណ្តប់លើស្រទាប់ខាងក្រោម ស្រទាប់ epitaxial និងដំណើរការផលិតឧបករណ៍ ដោយបញ្ជាក់យ៉ាងត្រឹមត្រូវនូវប្រភពដើមនៃពិការភាពនៅជំហានដំណើរការសំខាន់ៗ និងការផ្តល់នូវទិន្នន័យពិការភាពផ្លាស់ប្តូរទីតាំងដែលអាចតាមដានបាន ដើម្បីគាំទ្រដល់ការកែលម្អទិន្នផល។

ឆ្លងកាត់ការត្រួតពិនិត្យ	4 wafers / ម៉ោង (6'); 2 wafers / ម៉ោង (8'); 1 wafer / ម៉ោង (12')
សម្ភារៈ	SiC epitaxial wafers, patterned (ឧបករណ៍) wafers SiC, wafers SiC implanted ion, and SiC wafers/devices បន្ទាប់ពីការច្រូតស្រទាប់ដែក
ទំហំ Wafer	6', 8' និង 12'
ប្រភេទនៃពិការភាព	TSD, TED, BPD, SF, SSF, BSF, Triangle, Carrot Defects ជាដើម។
ដំណោះស្រាយលំហ	0.5 μm