Hệ thống kiểm tra khiếm khuyết lớp epiticular SiC quang không phá hủy SR-9000 xác định, định vị và ghi lại các sai lệch cũng như các khiếm khuyết khác trong tấm wafer epiticular SiC và trong suốt quá trình chế tạo thiết bị. Nó cung cấp dữ liệu kiểm tra để đánh giá chất lượng vật liệu, tối ưu hóa quy trình và truy tìm lỗi.
Hệ thống đạt được độ phân giải không gian 0,5 μm và hỗ trợ lập bản đồ khuyết tật toàn tấm wafer. Các khuyết tật có thể phát hiện được bao gồm trật khớp ren (TSD), trật khớp ren (TED), trật khớp mặt phẳng cơ bản (BPD), lỗi xếp chồng (SF), khuyết tật tam giác và khuyết tật củ cà rốt. Nó chứa các tấm wafer 6, 8 và 12 inch, với công suất kiểm tra lần lượt là 4, 2 và 1 tấm wafer mỗi giờ.
Hệ thống này hỗ trợ kiểm tra các tấm bán dẫn epiticular SiC, các tấm bán dẫn thiết bị có hoa văn, các tấm bán dẫn được cấy ion cũng như các tấm bán dẫn SiC và các thiết bị sau khi loại bỏ lớp kim loại. Nó cho phép kiểm tra độ lệch ở các giai đoạn sản xuất quan trọng, bao gồm lớp epitaxy, sau khi hình thành oxit cổng và trước khi bay hơi lớp kim loại trên cùng. Bằng cách kết hợp hình ảnh có độ phân giải không gian cao với giải mã mẫu, nó xác định vị trí sai lệch bên dưới các cấu trúc có hoa văn và giúp theo dõi sự phát triển khuyết tật từ chất nền thông qua các lớp epiticular đến các thiết bị, cung cấp dữ liệu kiểm tra có thể theo dõi để điều tra nguồn gốc khuyết tật và hỗ trợ cải thiện năng suất.
Hệ thống đạt được độ phân giải không gian 0,5 μm và hỗ trợ lập bản đồ khuyết tật toàn tấm wafer. Các khuyết tật có thể phát hiện được bao gồm trật khớp ren (TSD), trật khớp ren (TED), trật khớp mặt phẳng cơ bản (BPD), lỗi xếp chồng (SF), khuyết tật tam giác và khuyết tật củ cà rốt. Nó chứa các tấm wafer 6, 8 và 12 inch, với công suất kiểm tra lần lượt là 4, 2 và 1 tấm wafer mỗi giờ.
Hệ thống này hỗ trợ kiểm tra các tấm bán dẫn epiticular SiC, các tấm bán dẫn thiết bị có hoa văn, các tấm bán dẫn được cấy ion cũng như các tấm bán dẫn SiC và các thiết bị sau khi loại bỏ lớp kim loại. Nó cho phép kiểm tra độ lệch ở các giai đoạn sản xuất quan trọng, bao gồm lớp epitaxy, sau khi hình thành oxit cổng và trước khi bay hơi lớp kim loại trên cùng. Bằng cách kết hợp hình ảnh có độ phân giải không gian cao với giải mã mẫu, nó xác định vị trí sai lệch bên dưới các cấu trúc có hoa văn và giúp theo dõi sự phát triển khuyết tật từ chất nền thông qua các lớp epiticular đến các thiết bị, cung cấp dữ liệu kiểm tra có thể theo dõi để điều tra nguồn gốc khuyết tật và hỗ trợ cải thiện năng suất.
hỏi thăm
