ផលិតផល

DISPEC-9000 ដោយផ្អែកលើគោលការណ៍ Pump-Probe Reflection កម្រិតខ្ពស់ អនុញ្ញាតឱ្យមានការត្រួតពិនិត្យយ៉ាងរហ័សដោយមិនបំផ្លាញអុបទិកនៃស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ទំហំ 6‑, 8‑ និង 12 អ៊ីញ។ វាកំណត់យ៉ាងត្រឹមត្រូវនូវប្រភេទការផ្លាស់ទីលំនៅសំខាន់ៗចំនួនបី (TSD, TED, BPD) ខណៈពេលដែលរកឃើញ SF, MP, ការរួមបញ្ចូលកាបូន និងពិការភាព polycrystalline ។ ប្រព័ន្ធនេះគាំទ្រការត្រួតពិនិត្យទ្វេភាគីទាំងមុខ Si និង C ។ ការត្រួតពិនិត្យរបស់វាមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់៖ 4-5 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ 6-inch, 2-3 wafers ក្នុងមួយម៉ោងសម្រាប់ 8-inch និងប្រហែល 1 ម៉ោងក្នុងមួយ wafers សម្រាប់ 12-inch (ការផ្ទុកដោយដៃ) ។