Alat Pencitraan Seumur Hidup Pembawa Minoritas Wafer SiC Resolusi Tinggi TAU-9000/9000HR menggunakan pencitraan spektroskopi dengan penyelesaian waktu untuk mengkarakterisasi substrat SiC dan wafer epitaksi. Ini mendukung kualifikasi material, inspeksi produksi, dan R&D, menyediakan data pengukuran untuk kontrol kualitas, optimalisasi proses, dan analisis cacat.
Alat-alat ini mendukung pemetaan wafer penuh dan pencitraan mikroskopis lokal. Dalam mode wafer penuh, ia mencapai resolusi spasial 100 μm untuk mengkarakterisasi distribusi dan keseragaman seumur hidup pembawa minoritas. Ini mengakomodasi wafer berukuran 6, 8, dan 12 inci, dengan waktu pengukuran kurang dari 10 menit per wafer 6 inci. Dalam mode mikroskopis, resolusi spasial mencapai 0,9 μm, memungkinkan visualisasi variasi seumur hidup yang terkait dengan dislokasi threading dan kesalahan penumpukan. Resolusi temporal <2 ns memungkinkan karakterisasi substrat berumur pendek dan lapisan epitaksi.
Eksitasi 355 nm dan 266 nm yang dapat dialihkan memungkinkan ekstraksi independen dan pemetaan masa pakai pembawa minoritas massal dan kecepatan rekombinasi permukaan. Alat-alat ini mendukung pengukuran yang sepenuhnya otomatis, dengan ruang sampel opsional yang dibersihkan dengan nitrogen atau vakum untuk meminimalkan gangguan lingkungan dan menjaga kondisi permukaan sampel. Modul kontrol suhu opsional yang mencakup suhu ruangan hingga 200°C memungkinkan pengukuran seumur hidup yang bergantung pada suhu untuk menyelidiki mekanisme rekombinasi pembawa dan karakteristik keadaan perangkap.
Alat-alat ini mendukung pemetaan wafer penuh dan pencitraan mikroskopis lokal. Dalam mode wafer penuh, ia mencapai resolusi spasial 100 μm untuk mengkarakterisasi distribusi dan keseragaman seumur hidup pembawa minoritas. Ini mengakomodasi wafer berukuran 6, 8, dan 12 inci, dengan waktu pengukuran kurang dari 10 menit per wafer 6 inci. Dalam mode mikroskopis, resolusi spasial mencapai 0,9 μm, memungkinkan visualisasi variasi seumur hidup yang terkait dengan dislokasi threading dan kesalahan penumpukan. Resolusi temporal <2 ns memungkinkan karakterisasi substrat berumur pendek dan lapisan epitaksi.
Eksitasi 355 nm dan 266 nm yang dapat dialihkan memungkinkan ekstraksi independen dan pemetaan masa pakai pembawa minoritas massal dan kecepatan rekombinasi permukaan. Alat-alat ini mendukung pengukuran yang sepenuhnya otomatis, dengan ruang sampel opsional yang dibersihkan dengan nitrogen atau vakum untuk meminimalkan gangguan lingkungan dan menjaga kondisi permukaan sampel. Modul kontrol suhu opsional yang mencakup suhu ruangan hingga 200°C memungkinkan pengukuran seumur hidup yang bergantung pada suhu untuk menyelidiki mekanisme rekombinasi pembawa dan karakteristik keadaan perangkap.
Menanyakan
