TAU-9000/9000HR SiC Wafer Minority Carrier Lifetime Imaging Tools de alta resolução usa imagens espectroscópicas resolvidas no tempo para caracterizar substratos de SiC e wafers epitaxiais. Ele oferece suporte à qualificação de materiais, inspeção de produção e P&D, fornecendo dados de medição para controle de qualidade, otimização de processos e análise de defeitos.
Essas ferramentas suportam mapeamento completo de wafer e imagens microscópicas localizadas. No modo full-wafer, ele atinge uma resolução espacial de 100 μm para caracterizar as distribuições e uniformidade do tempo de vida das portadoras minoritárias. Ele acomoda wafers de 6, 8 e 12 polegadas, com tempos de medição inferiores a 10 minutos por wafer de 6 polegadas. No modo microscópico, a resolução espacial atinge 0,9 μm, permitindo a visualização de variações de vida associadas a deslocamentos de rosqueamento e falhas de empilhamento. Uma resolução temporal de <2 ns permite a caracterização de substratos de vida curta e de camadas epitaxiais.
A excitação comutável de 355 nm e 266 nm permite a extração independente e o mapeamento da vida útil do portador minoritário em massa e da velocidade de recombinação de superfície. Essas ferramentas suportam medições totalmente automatizadas, com câmaras de amostragem opcionais purgadas com nitrogênio ou a vácuo para minimizar a interferência ambiental e preservar as condições da superfície da amostra. Um módulo de controle de temperatura opcional que abrange a temperatura ambiente até 200°C permite medições de vida útil dependentes da temperatura para investigar mecanismos de recombinação de portadores e características de estado de armadilha.
Essas ferramentas suportam mapeamento completo de wafer e imagens microscópicas localizadas. No modo full-wafer, ele atinge uma resolução espacial de 100 μm para caracterizar as distribuições e uniformidade do tempo de vida das portadoras minoritárias. Ele acomoda wafers de 6, 8 e 12 polegadas, com tempos de medição inferiores a 10 minutos por wafer de 6 polegadas. No modo microscópico, a resolução espacial atinge 0,9 μm, permitindo a visualização de variações de vida associadas a deslocamentos de rosqueamento e falhas de empilhamento. Uma resolução temporal de <2 ns permite a caracterização de substratos de vida curta e de camadas epitaxiais.
A excitação comutável de 355 nm e 266 nm permite a extração independente e o mapeamento da vida útil do portador minoritário em massa e da velocidade de recombinação de superfície. Essas ferramentas suportam medições totalmente automatizadas, com câmaras de amostragem opcionais purgadas com nitrogênio ou a vácuo para minimizar a interferência ambiental e preservar as condições da superfície da amostra. Um módulo de controle de temperatura opcional que abrange a temperatura ambiente até 200°C permite medições de vida útil dependentes da temperatura para investigar mecanismos de recombinação de portadores e características de estado de armadilha.
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