TAU-9000/9000HR 高解像度 SiC ウェーハ少数キャリアライフタイム イメージング ツールは、時間分解分光イメージングを使用して SiC 基板とエピタキシャル ウェーハを特性評価します。材料の認定、製造検査、研究開発をサポートし、品質管理、プロセスの最適化、欠陥分析のための測定データを提供します。
これらのツールは、フルウェーハ マッピングと局所的な顕微鏡イメージングの両方をサポートします。フルウェーハモードでは、100μmの空間分解能を達成し、少数キャリアの寿命分布と均一性を特徴付けます。 6、8、12 インチのウェーハに対応し、6 インチのウェーハあたりの測定時間は 10 分未満です。顕微鏡モードでは、空間分解能が 0.9 μm に達し、貫通転位や積層欠陥に関連する寿命の変動を視覚化できます。 2 ns 未満の時間分解能により、寿命の短い基板とエピタキシャル層の両方の特性評価が可能になります。
切り替え可能な 355 nm と 266 nm の励起により、バルク少数キャリアの寿命と表面再結合速度の独立した抽出とマッピングが可能になります。これらのツールは、オプションの窒素パージまたは真空サンプル チャンバーを使用して完全自動測定をサポートし、環境干渉を最小限に抑え、サンプル表面状態を維持します。室温から 200°C までのオプションの温度制御モジュールを使用すると、キャリアの再結合メカニズムとトラップ状態の特性を調査するための温度依存の寿命測定が可能になります。
これらのツールは、フルウェーハ マッピングと局所的な顕微鏡イメージングの両方をサポートします。フルウェーハモードでは、100μmの空間分解能を達成し、少数キャリアの寿命分布と均一性を特徴付けます。 6、8、12 インチのウェーハに対応し、6 インチのウェーハあたりの測定時間は 10 分未満です。顕微鏡モードでは、空間分解能が 0.9 μm に達し、貫通転位や積層欠陥に関連する寿命の変動を視覚化できます。 2 ns 未満の時間分解能により、寿命の短い基板とエピタキシャル層の両方の特性評価が可能になります。
切り替え可能な 355 nm と 266 nm の励起により、バルク少数キャリアの寿命と表面再結合速度の独立した抽出とマッピングが可能になります。これらのツールは、オプションの窒素パージまたは真空サンプル チャンバーを使用して完全自動測定をサポートし、環境干渉を最小限に抑え、サンプル表面状態を維持します。室温から 200°C までのオプションの温度制御モジュールを使用すると、キャリアの再結合メカニズムとトラップ状態の特性を調査するための温度依存の寿命測定が可能になります。
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