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Herramientas de obtención de imágenes de por vida para portadores minoritarios de oblea epitaxial de alta resolución TAU-9000/9000HR
Herramientas de obtención de imágenes de por vida para portadores minoritarios de oblea epitaxial de alta resolución TAU-9000/9000HR
Las herramientas de imágenes de por vida de portadores minoritarios de obleas de SiC de alta resolución TAU-9000/9000HR utilizan imágenes espectroscópicas de resolución temporal para caracterizar sustratos de SiC y obleas epitaxiales. Apoya la calificación de materiales, la inspección de producción y la I+D, proporcionando datos de medición para el control de calidad, la optimización de procesos y el análisis de defectos.

Estas herramientas admiten tanto el mapeo de oblea completa como la obtención de imágenes microscópicas localizadas. En modo de oblea completa, logra una resolución espacial de 100 μm para caracterizar la uniformidad y la distribución de la vida útil de los portadores minoritarios. Tiene capacidad para obleas de 6, 8 y 12 pulgadas, con tiempos de medición de menos de 10 minutos por oblea de 6 pulgadas. En modo microscópico, la resolución espacial alcanza 0,9 μm, lo que permite la visualización de variaciones de vida asociadas con dislocaciones de roscas y fallas de apilamiento. Una resolución temporal de <2 ns permite la caracterización tanto de sustratos de vida corta como de capas epitaxiales.

La excitación conmutable de 355 nm y 266 nm permite la extracción y el mapeo independientes de la vida útil de los portadores minoritarios en masa y la velocidad de recombinación de la superficie. Estas herramientas admiten mediciones totalmente automatizadas, con cámaras de muestra al vacío o purgadas con nitrógeno opcionales para minimizar la interferencia ambiental y preservar las condiciones de la superficie de la muestra. Un módulo de control de temperatura opcional que abarca la temperatura ambiente hasta 200 °C permite realizar mediciones de vida útil dependientes de la temperatura para investigar los mecanismos de recombinación de portadores y las características del estado de trampa.
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Características clave

  • Alto rendimiento: 5-10 min/oblea

  • Alta resolución temporal: <2 ns

  • Alta resolución espacial: ~275 μm (modo de oblea completa); ~0,9 μm (modo de alta resolución)


Presupuesto

Material

Sustrato de SiC y capa epitaxial.

Tamaños de oblea

6', 8' y 12'

Rendimiento de inspección

5-10 min/oblea

Resolución temporal

<2 ns

Resolución espacial

~275 μm (modo oblea completa); ~0,9 μm (modo de alta resolución)

Longitud de onda de excitación

355 nm / 266 nm (para inspección masiva y de superficies)

Rango de medición de por vida

20 ns-10 ms

Compatible con epicapas de diferentes espesores sin ser alteradas por el sustrato


Ejemplos de casos

Información disponible

Información disponible

Aspectos destacados del equipo

① Imágenes locales de obleas epitaxiales con una resolución espacial de 0,9 μm

Imágenes locales de obleas epitaxiales con una resolución espacial de 0,9 μm

El modo de imágenes de alta resolución permite la visualización directa de defectos, incluidos TD y SF, y la extracción directa de la vida útil de sus portadores minoritarios. La vida útil de los transportistas minoritarios en las áreas SF es más corta que en las áreas normales.

② Imágenes de distribución de vida útil de portadores minoritarios para obleas epitaxiales típicas de diferentes espesores

Imágenes de distribución de vida útil de portadores minoritarios para obleas epitaxiales típicas de diferentes espesores

Compatible con los requisitos de inspección para obleas epitaxiales de distintos espesores, un único sistema cubre diversos escenarios de proceso, desde I+D hasta producción en masa. Ayuda a los clientes a establecer estándares unificados de evaluación de calidad, reducir la inversión en equipos y mejorar la investigación y el desarrollo y la eficiencia de la producción.

③ Admite imágenes de por vida de portadores minoritarios de sustrato

Imágenes de por vida de portadores minoritarios de sustrato

Nuestro equipo permite medir la vida útil de los portadores minoritarios del sustrato, lo que respalda la evaluación de la calidad del material, la optimización del proceso y la mejora del rendimiento.

④ Resolución de la vida útil del portador a granel y de superficie para capas Epi gruesas mediante excitaciones de 355 nm y 266 nm

Análisis de la vida útil del transporte a granel y de superficie

Al desacoplar los mapeos de vida útil adquiridos a 266 nm y 355 nm, el sistema proporciona imágenes separadas de la vida útil de los portadores minoritarios y la velocidad de recombinación de la superficie, lo que ofrece información más profunda sobre la evaluación de la calidad del material.

⑤ Mediciones de la vida útil de los operadores minoritarios a diferentes temperaturas

Mediciones de la vida útil de los operadores minoritarios a diferentes temperaturas

En comparación con la temperatura ambiente, la vida útil de los portadores minoritarios se prolonga a 175 °C y su distribución también cambia.

Al ofrecer soluciones innovadoras, confiables y escalables, permitimos a las industrias lograr una precisión y eficiencia incomparables, impulsando el progreso en la investigación y la fabricación en todo el mundo.
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