Los defectos de dislocación en las obleas de SiC, como TSD, TED y BPD, limitan críticamente el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo, mientras que sus mecanismos de crecimiento aún no se conocen lo suficiente. Este trabajo presenta un método de inspección rápido y no destructivo basado en espectroscopia de absorción transitoria y algoritmos de inteligencia artificial para una detección y clasificación precisas de defectos. El estudio revela distintos modos de crecimiento de las dislocaciones de roscado e identifica relaciones de transformación entre las dislocaciones y los defectos del plano basal. Estos hallazgos proporcionan nuevos conocimientos sobre el crecimiento de los cristales de SiC y respaldan un mejor control de defectos y calidad de las obleas en la fabricación de semiconductores.
La espectroscopia de absorción transitoria, además de su aplicación en el estudio de sistemas moleculares, es un método técnico fundamental para explorar la dinámica del estado excitado de nanocristales semiconductores o puntos cuánticos. En esta discusión, usaremos puntos cuánticos semiconductores como ejemplo para dilucidar
