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ペロブスカイト太陽光発電用統合オフライン欠陥検査システム
ペロブスカイト太陽光発電用統合オフライン欠陥検査システム
ペロブスカイト太陽光発電用の統合オフライン欠陥検査システムは、材料研究、デバイス性能評価、故障解析のために設計されています。フォトルミネッセンス (PL)、エレクトロルミネッセンス (EL)、明視野および暗視野の自動光学検査 (AOI) を統合したオフライン システムは、さまざまなサイズのペロブスカイトおよびペロブスカイト/シリコン タンデム セルに対応し、大面積イメージングから局所的な顕微鏡欠陥観察まで、マルチスケール検査を可能にします。オプションの機能には、高解像度イメージング、PL 分光法、時間分解フォトルミネッセンス (TRPL)、および光電流/光電圧マッピングが含まれます。これらの機能を PL 量子収率 (PLQY)、準フェルミ準位分割 (QFLS)、擬似 J-V イメージングと組み合わせることで、材料やデバイスの光電子特性の空間分布を特徴付けることができます。 AI を利用した欠陥の特定、分類、統計分析、均一性評価により、欠陥の特性と性能の変動を関連付けることができ、材料のスクリーニング、プロセスの最適化、効率と安定性の向上のための実験的洞察が得られます。
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特徴

01

PL、EL、AOI検査

02

複数のサンプルサイズとタンデムセルの互換性

03

高解像度イメージング: ~5 μm

仕様

PL、EL、AOI イメージング
視野 35cm×35cm
空間解像度 約50μm/ピクセル
PL励起源 532 nm LED 面光源 (他の波長はオプション);タンデム型太陽電池用850nm LED面光源
照明の均一性 >90%
照度範囲 0.01~1.2寸
画像取得時間 通常は 1 秒未満、サンプルの PL および EL シグナル強度に応じて異なります。
高解像度イメージング
視野 2.5cm×2.5cm
空間解像度 約 5 μm/ピクセル (ご要望に応じて、より高い解像度も利用可能)
PL分光法
励起源 532 nm レーザー (タンデム太陽電池には追加の 850 nm 光源も利用可能)
スペクトル取得範囲 350 ~ 1000 nm (タンデム太陽電池にはカスタマイズされた近赤外分光計が利用可能)
スペクトル解像度 波長分解能: 0.25 nm。光学分解能: 1.8 nm
追加機能
電気的特性評価 光電流および光電圧イメージングのスキャン
AI分析 AI ベースの欠陥特定
高度なイメージング フォトルミネッセンス量子収率(PLQY)、準フェルミ準位分裂(QFLS)、擬似J-V特性のイメージング

例

① 定期画像検査

定期画像検査

従来のペロブスカイト組成を使用した 30 cm × 30 cm の太陽光発電パネル。

② 統合された測定モジュール

統合された測定モジュール
統合された測定モジュール

このシステムは、高解像度イメージング、分光法、およびスキャン光電圧/光電流モジュールを統合できます。

イメージングおよび分光機能

  • In situ 高分解能測定: より高い空間分解能での AOI、PL、EL 測定。視野と空間解像度をカスタマイズして、欠陥やスクライブラインを特徴付けたり、小さなサンプルを検査したりできます。

  • 光電流/光電圧モジュール: さまざまなサンプル領域の短絡電流と開放電圧を測定し、電気的応答の局所的な変動を特定します。

  • 時間分解フォトルミネッセンス (TRPL): ペロブスカイト材料のキャリア寿命を測定し、キャリアの再結合と電荷抽出のダイナミクスを明らかにします。

  • 分光法: さまざまなサンプル位置で PL および EL スペクトルを測定し、ペロブスカイト組成の空間分布と変動を明らかにします。スペクトルスキャンイメージングもサポートされています。

③ AIによる自動欠陥特定

AIベースの自動欠陥特定
AI ベースの欠陥分類結果

④ 自動欠陥特定と工程追跡

自動化された欠陥の特定とプロセス追跡

⑤ QFLSと疑似JVイメージング

QFLS イメージング
擬似JVイメージング
QFLS と擬似 JV 分析

⑥ ペロブスカイトシリコンタンデムセルの特性評価

ペロブスカイトシリコンタンデムセルの特性評価

励起波長と検出スペクトル帯域を変更することで、タンデム型太陽電池のペロブスカイト層とシリコン層を個別にプローブして評価し、各機能層の性能を明らかにすることができます。

革新的で信頼性が高く、スケーラブルなソリューションを提供することで、業界が比類のない精度と効率を達成できるようにし、世界中の研究と製造の進歩を推進します。
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