Các khiếm khuyết về vị trí trong các tấm wafer SiC, chẳng hạn như TSD, TED và BPD, hạn chế nghiêm trọng năng suất và độ tin cậy của thiết bị, trong khi cơ chế tăng trưởng của chúng vẫn chưa được hiểu đầy đủ. Công trình này trình bày một phương pháp kiểm tra nhanh, không phá hủy dựa trên quang phổ hấp thụ nhất thời và thuật toán AI để phát hiện và phân loại khuyết tật chính xác. Nghiên cứu cho thấy các phương thức phát triển riêng biệt của trật khớp ren và xác định mối quan hệ biến đổi giữa trật khớp và khuyết tật mặt phẳng cơ bản. Những phát hiện này cung cấp những hiểu biết mới về sự phát triển của tinh thể SiC và hỗ trợ cải thiện việc kiểm soát khuyết tật cũng như chất lượng tấm bán dẫn trong sản xuất chất bán dẫn.
Quang phổ hấp thụ thoáng qua, ngoài ứng dụng trong nghiên cứu hệ thống phân tử, còn là một phương pháp kỹ thuật quan trọng để khám phá động lực học trạng thái kích thích của tinh thể nano bán dẫn hoặc chấm lượng tử. Trong cuộc thảo luận này, chúng ta sẽ sử dụng các chấm lượng tử bán dẫn làm ví dụ để làm sáng tỏ
