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| Getestete Materialien: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, Diamant und andere Halbleiter mit großer/ultrabreiter Bandlücke. Breiter Wellenlängenbereich: 206/257/343/515/1030 nm (motorisiertes Schalten) (tiefe UV-Anregung bis zu 192 nm auf Basis eines 800-nm-Lasers erreichbar). Umfassende Funktionalität: Integrierte PL, Raman, SHG und mehrfache Spektroskopie Techniken |
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Getestete Materialien: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, Diamant und andere Halbleiter mit großer/ultrabreiter Bandlücke
Breiter Wellenlängenbereich: 206/257/343/515/1030 nm (motorisierte Umschaltung) (Tief-UV-Anregung bis zu 192 nm möglich, basierend auf einem 800-nm-Laser)
Umfassende Funktionalität: Integrierte PL-, Raman-, SHG- und mehrere spektroskopische Techniken
| Merkmale | Steady-State-Fluoreszenz | Weitfeldbildgebung, PL-Emissionsspektrum, PLI, PL-Spektralbildgebung |
| Vorübergehende Fluoreszenz | FLIM (über TCSPC) | |
| Hohe Geschwindigkeit | LED-Quellen | 265, 310, 365 nm (wählbar) |
| Einheitlicher Beleuchtungsbereich | >1cm² | |
| Auflösung | >1,5 μm/Pixel | |
| Kamera | 2048×2048 Pixel, 6,5 μm px, 13,31 × 13,31 mm Sensor | |
| Anregungslichtquelle* | 1030 nm fs-LD PSH-Modul | 515 nm, 343 nm, 257 nm, 206 nm Wellenlänge (bis zu 1 MHz Abstimmfrequenz) |
| Spektraler Bilderfassungsbereich (sCMOS-Kamera) |
200–1000 nm (unterstützt UV-Vis-NIR-Bildgebung) | |
| PL-Intensitätserkennungsbereich (PMT) |
190-870 nm | |
| Räumliche Auflösung |
Bis zu 500 nm Auflösung (mit 100-fachem Ölimmersionsobjektiv) | |
| TCSPC-Modul | IRF | ≤300 PS |
| TR | ≤60 Ps | |
| Übersetzung Hirsch | Tragfähigkeit | 5 kg |
| Reisebereich** | 30 cm (X,Y)/1,5 cm (Z) | |
| Min. Schrittgröße | 100 nm | |
| Geradlinigkeit | <4 μm | |
| Bidirektionale Wiederholbarkeit | ±0,3 μm (X,Y); ±0,15 μm (Z) | |
| Standard | Enthält Treiber und Controller mit synchronen Signalausgabefunktionen | |
| Anregungsquelle | Anregungswellenlänge | 532 nm/633 nm/785 nm (andere Optionen) |
| Anregungsleistung | >150 MW (532 nm) | |
| Raman-Spektralauflösung |
<1,5 cm⁻⊃1; (300 mm Brennweite, 500 nm Blaze@1800 g/mm) | |
| Räumliche Auflösung | Axiale Auflösung | <1 μm bei 10 μm Lochblende; <2 μm bei 50 μm Lochblende |
| Laterale Auflösung | 500 nm (100×Objektiv) | |
| Kamera* | CMOS-Typ | BSI sCMOS |
| Erfassungsbereich | 200-1000 nm | |
| Auflösung | 2048×2048 Pixel (13,3×13,3 mm Sensor) | |
| Anregungswellenlänge |
Femtosekundenlaser (Pikosekundenlaser bei 1064 nm optional) | |
| PMT-Detektor | Erfassungsbereich | 190-870 nm |
| Hochgeschwindigkeits-Scanmodul | Scantyp | Synchronisiertes Hochgeschwindigkeits-Bühnenscannen |
| Min. Schrittgröße | 50 nm | |
| Wiederholbarkeit | 250 nm | |
| Geschwindigkeit | 300 mm/s (maximal) | |
| Anregungspolarisationskontrolle |
Motorisiert | |
| Mikroskoptyp |
Erweiterbares modulares aufrechtes Mikroskop | |
| Lichtquellentyp |
LED-Beleuchtungssystem | |
| Beleuchtungsmodus |
Episkopische Beleuchtung | |
| Zielkonfiguration |
5×, 10×, 20×, 40×, 50×, 60×, 100× Luft-/Öl-Immersionsobjektive | |
| Autofokus-Modul (optional) | Reaktionsgeschwindigkeit | 40 ms |
| Empfindlichkeit | 200 nm | |
| Spektrometertyp |
Czerny-Turner | |
| Brennweite |
200, 300, 500 mm (wählbar) | |
| Reziproke lineare Dispersion |
2,44 nm/mm bei 435,84 nm bei 1200 g/mm Gitter | |
| Auflösung des Scanschritts |
0,02 nm bei 1200 g/mm Gitter | |
| Spektrale Auflösung | PMT | 0,08 nm |
| CCD (25 μm Pixel) | 0,14 nm | |
| Wellenlängengenauigkeit |
±0,1 nm (@1200 g/mm) | |
| Wiederholbarkeit der Wellenlänge |
0,01 nm (@1200 g/mm) | |
| Externe Feldkonditionierung | Erweiterbar auf niedrige Temperaturen, hohen Druck und externe Magnetfelder |
