do sistema de caracterização abrangente de semicondutores de banda larga de nível de pesquisa :

Recurso de produtos

• Materiais testados: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, diamante e outros semicondutores de bandgap largo/ultra-largo

• Ampla faixa de comprimento de onda: 206/257/343/515/1030 nm (comutação motorizada) (excitação UV profunda até 192 nm alcançável com base no laser de 800 nm)

• Funcionalidade abrangente: PL integrado, Raman, SHG e múltiplas técnicas espectroscópicas

  
  

Especificações

Módulo de Fluorescência

Características	Fluorescência em estado estacionário	Imagem de campo amplo, espectro de emissão PL, PLI, imagem espectral PL
	Fluorescência Transitória	FLIM (através da TCSPC)
De alta velocidade	Fontes de LED	265, 310, 365 nm (selecionável)
	Área de iluminação uniforme	>1cm²
	Resolução	>1,5 μm/pixel
	Câmera	2048×2048 pixels, 6,5 μm px, sensor de 13,31 × 13,31 mm
Fonte de luz de excitação*	Módulo PSH fs-LD de 1030 nm	Comprimento de onda de 515 nm, 343 nm, 257 nm, 206 nm (frequência de sintonia de até 1 MHz)
Faixa de detecção de imagem espectral (câmera sCMOS)		200-1000 nm (suporta imagens UV-Vis-NIR)
Faixa de detecção de intensidade PL (PMT)		190-870nm
Resolução Espacial		Resolução de até 500 nm (com objetiva de imersão em óleo de 100×)
Módulo TCSPC	IRF	≤300 PS
	TR	≤60 PS
Tradução Stag	Capacidade de carga	5kg
	Faixa de viagem**	30cm (X,Y)/1,5cm (Z)
	Min. Tamanho do passo	100nm
	Retidão	<4 μm
	Repetibilidade bidirecional	±0,3 μm (X,Y); ±0,15 μm (Z)
	Padrão	Inclui driver e controlador com recursos de saída de sinal síncrono

Módulo Raman

Fonte de excitação	Comprimento de onda de excitação	532 nm/633 nm/785 nm (outras opções)
	Poder de excitação	>150 mW (532 nm)
Resolução Espectral Raman		<1,5 cm⁻⊃1; (distância focal de 300 mm, chama de 500 nm@1800g/mm)
Resolução Espacial	Resolução Axial	<1 μm@10 μm Pinhole; <2 μm@50 μm Pinhole
	Resolução Lateral	500 nm (100×Objetivo)
Câmera*	Tipo CMOS	BSI sCMOS
	Faixa de detecção	200-1000nm
	Resolução	2048×2048 pixels (sensor de 13,3×13,3 mm)

Módulo SHG

Comprimento de onda de excitação		Laser de femtosegundo (laser de picossegundo em 1064 nm opcional)
Detector PMT	Faixa de detecção	190-870nm
Módulo de digitalização de alta velocidade	Tipo de digitalização	Varredura sincronizada de palco de alta velocidade
	Min. Tamanho do passo	50nm
	Repetibilidade	250 nm
	Velocidade	300 mm/s (máx.)
Controle de polarização de excitação		Motorizado

Módulo de microscópio

Tipo de microscópio		Microscópio vertical modular expansível
Tipo de fonte de luz		Sistema de iluminação LED
Modo de iluminação		Iluminação episcópica
Configuração objetiva		5×, 10×, 20×, 40×, 50×, 60×, 100× Objetivas de imersão em ar/óleo
Módulo de foco automático (opcional)	Velocidade de resposta	40ms
	Sensibilidade	200 nm

Módulo Espectrômetro

Tipo de espectrômetro		Czerny Turner
Distância focal		200, 300, 500 mm (selecionável)
Dispersão Linear Recíproca		2,44 nm/mm @435,84 nm @1200g/mm grade
Resolução da etapa de digitalização		Grade de 0,02 nm a 1200g/mm
Resolução Espectral	PMT	0,08nm
	CCD (pixel de 25 μm)	0,14nm
Precisão do comprimento de onda		±0,1 nm (@1200 g/mm)
Repetibilidade de comprimento de onda		0,01nm (@1200g/mm)

Capacidades de Expansão

Condicionamento de Campo Externo	Extensível para baixa temperatura, alta pressão e campos magnéticos externos

Aplicativo