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Sistema de caracterização abrangente de semicondutores de banda larga de nível de pesquisa
Sistema de caracterização abrangente de semicondutores de banda larga de nível de pesquisa
Materiais testados: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, diamante e outros semicondutores de bandgap largo/ultra-largo
Faixa ampla de comprimento de onda: 206/257/343/515/1030 nm (comutação motorizada) (excitação UV profunda até 192 nm alcançável com base em laser de 800 nm)
Funcionalidade abrangente: PL integrado, Raman, SHG e espectroscópico múltiplo técnicas
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Recurso de produtos

  • Materiais testados: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, diamante e outros semicondutores de bandgap largo/ultra-largo

  • Ampla faixa de comprimento de onda: 206/257/343/515/1030 nm (comutação motorizada) (excitação UV profunda até 192 nm alcançável com base no laser de 800 nm)

  • Funcionalidade abrangente: PL integrado, Raman, SHG e múltiplas técnicas espectroscópicas


Especificações

Módulo de Fluorescência

CaracterísticasFluorescência em estado estacionárioImagem de campo amplo, espectro de emissão PL, PLI, imagem espectral PL
Fluorescência TransitóriaFLIM (através da TCSPC)
De alta velocidadeFontes de LED265, 310, 365 nm (selecionável)
Área de iluminação uniforme>1 cm²
Resolução>1,5 μm/pixel
Câmera2048×2048 pixels, 6,5 μm px, sensor de 13,31 × 13,31 mm
Fonte de luz de excitação*Módulo PSH fs-LD de 1030 nmComprimento de onda de 515 nm, 343 nm, 257 nm, 206 nm (frequência de sintonia de até 1 MHz)
Faixa de detecção de imagem espectral (câmera sCMOS)
200-1000 nm (suporta imagens UV-Vis-NIR)
Faixa de detecção de intensidade PL (PMT)
190-870nm
Resolução Espacial
Resolução de até 500 nm (com objetiva de imersão em óleo de 100×)
Módulo TCSPCIRF≤300 PS
TR≤60 PS
Tradução StagCapacidade de carga5kg
Faixa de viagem**30cm (X,Y)/1,5cm (Z)
Min. Tamanho do passo100nm
Retidão<4 μm
Repetibilidade bidirecional±0,3 μm (X,Y); ±0,15 μm (Z)
PadrãoInclui driver e controlador com recursos de saída de sinal síncrono

Módulo Raman

Fonte de excitaçãoComprimento de onda de excitação532 nm/633 nm/785 nm (outras opções)
Poder de excitação>150 mW (532 nm)
Resolução Espectral Raman
<1,5 cm⁻¹ (distância focal de 300 mm, chama de 500 nm@1800g/mm)
Resolução EspacialResolução Axial<1 μm@10 μm Pinhole; <2 μm@50 μm Pinhole
Resolução Lateral500 nm (100×Objetivo)
Câmera*Tipo CMOSBSI sCMOS
Faixa de detecção200-1000nm
Resolução2048×2048 pixels (sensor de 13,3×13,3 mm)

Módulo SHG

Comprimento de onda de excitação
Laser de femtosegundo (laser de picossegundo em 1064 nm opcional)
Detector PMTFaixa de detecção190-870nm
Módulo de digitalização de alta velocidadeTipo de digitalizaçãoVarredura sincronizada de palco de alta velocidade
Min. Tamanho do passo50nm
Repetibilidade250 nm

Velocidade300 mm/s (máx.)
Controle de polarização de excitação
Motorizado

Módulo de microscópio

Tipo de microscópio
Microscópio vertical modular expansível
Tipo de fonte de luz
Sistema de iluminação LED
Modo de iluminação
Iluminação episcópica
Configuração objetiva
5×, 10×, 20×, 40×, 50×, 60×, 100× Objetivas de imersão em ar/óleo
Módulo de foco automático (opcional)Velocidade de resposta40ms
Sensibilidade200 nm

Módulo Espectrômetro

Tipo de espectrômetro
Czerny Turner
Distância focal
200, 300, 500 mm (selecionável)
Dispersão Linear Recíproca
2,44 nm/mm @435,84 nm @1200g/mm grade
Resolução da etapa de digitalização
Grade de 0,02 nm a 1200g/mm
Resolução EspectralPMT0,08nm
CCD (pixel de 25 μm)0,14nm
Precisão do comprimento de onda
±0,1 nm (@1200 g/mm)
Repetibilidade de comprimento de onda
0,01nm (@1200g/mm)

Capacidades de Expansão



Condicionamento de Campo ExternoExtensível para baixa temperatura, alta pressão e campos magnéticos externos


Aplicativo

aplicações



aplicaçõesaplicações

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