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연구등급 와이드 밴드갭 반도체 종합 특성화 시스템
연구등급 와이드 밴드갭 반도체 종합 특성화 시스템
테스트 대상 재료: SiC, GaN, Ga2O3, AlGaN, 다이아몬드 및 기타 광폭/초광폭 밴드갭 반도체
넓은 파장 범위: 206/257/343/515/1030nm(전동식 스위칭)(800nm ​​레이저를 기반으로 최대 192nm까지 깊은 UV 여기 달성 가능)
포괄적인 기능: 통합 PL, Raman, SHG 및 다중 분광 기술
묻다


제품특징

  • 테스트된 재료: SiC, GaN, Ga2O3, AlGaN, 다이아몬드 및 기타 광폭/초광폭 밴드갭 반도체

  • 넓은 파장 범위: 206/257/343/515/1030nm(전동식 스위칭)(800nm ​​레이저를 기반으로 192nm까지 깊은 UV 여기 달성 가능)

  • 포괄적인 기능: 통합 PL, Raman, SHG 및 다중 분광 기술


명세서

형광 모듈

특징정상 상태 형광광시야 이미징, PL 방출 스펙트럼, PLI, PL 스펙트럼 이미징
일시적 형광FLIM(TCSPC를 통해)
고속LED 소스265, 310, 365nm(선택 가능)
균일한 조명 영역>1cm²
해결>1.5μm/픽셀
카메라2048×2048 픽셀, 6.5μm px, 13.31×13.31mm 센서
여기 광원*1030nm fs-LD PSH 모듈515nm, 343nm, 257nm, 206nm 파장(최대 1MHz 튜닝 주파수)
스펙트럼 이미징 감지 범위(sCMOS 카메라)
200-1000nm(UV-Vis-NIR 이미징 지원)
PL 강도 감지 범위(PMT)
190-870nm
공간 해상도
최대 500nm 분해능(100× 오일 침지 대물렌즈 사용)
TCSPC 모듈IRF300ps 이하
TR60ps 이하
번역 수사슴부하 용량5kg
여행 범위**30cm(X,Y)/1.5cm(Z)
최소 단계 크기100nm
직진도<4μm
양방향 반복성±0.3μm(X,Y); ±0.15μm(Z)
기준동기식 신호 출력 기능을 갖춘 드라이버 및 컨트롤러 포함

라만 모듈

여기 소스여기 파장532nm/633nm/785nm(기타 옵션)
여기 전력>150mw(532nm)
라만 스펙트럼 분해능
<1.5cm⁻¹(300mm 초점 거리, 500nm 블레이즈@1800g/mm)
공간 해상도축 해상도<1 μm@10 μm 핀홀; <2 μm@50 μm 핀홀
측면 해상도500 nm (100×대물렌즈)
카메라*CMOS 유형BSI sCMOS
감지 범위200-1000nm
해결2048×2048 픽셀(13.3×13.3mm 센서)

SHG 모듈

여기 파장
펨토초 레이저(1064nm의 피코초 레이저 옵션)
PMT 검출기감지 범위190-870nm
고속 스캐닝 모듈스캔 유형동기화된 고속 스테이지 스캐닝
최소 단계 크기50nm
반복성250nm

속도300mm/s(최대)
여기 분극 제어
전동식

현미경 모듈

현미경 유형
확장 가능한 모듈형 정립 현미경
광원 유형
LED 조명 시스템
조명 모드
Episcopic 조명
목표 구성
5×, 10×, 20×, 40×, 50×, 60×, 100× 공기/기름 침지 대물렌즈
자동 초점 모듈(옵션)응답 속도40ms
감광도200nm

분광계 모듈

분광계 유형
체르니 터너
초점 거리
200, 300, 500mm(선택 가능)
상호 선형 분산
2.44nm/mm @435.84nm @1200g/mm 격자
스캐닝 단계 해상도
0.02 nm @1200g/mm 격자
스펙트럼 분해능오후0.08nm
CCD(25μm 픽셀)0.14nm
파장 정확도
±0.1nm(@1200g/mm)
파장 반복성
0.01nm(@1200g/mm)

확장 기능



외부 필드 컨디셔닝저온, 고압, 외부 자기장까지 확장 가능


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